Акцепторный уровень

Cтраница 1

Верхний акцепторный уровень ( 0 2 эв ниже зоны проводимости) не фигурирует в пашем рассмотрении. Переход к собственной проводимости препятствует возбуждению сколько-нибудь заметного числа электронов на эти уровни-иными словами, собственная проводимость смещает уровень Ферми к середине запрещенной зоны. [1]

Акцепторный уровень Cd в твердых растворах расположен на 0 02 эВ выше валентной зоны. [2]

Схема электронных переходов, сопровождающих хемосорбцию. [3]

А - акцепторный уровень хемосорби-рованной частицы, Д - до-норный уровень хемосор-бированной частицы. [4]

Совершенно аналогично, акцепторный уровень располагается вблизи дна запрещенной зоны. [5]

Примесные уровни в арсениде галлия целый спектр уровней.| Примесные уровни в антимониде индия разовании валентных хими -. [6]

При этом образуется мелкий акцепторный уровень. [7]

Удаление электрона с акцепторного уровня или дырки с донорного уровня означает, как мы видели, не десорбцию хемосорбированной частицы, а всего лишь ее переход из состояния прочной в состояние слабой связи с поверхностью. [8]

Однако поскольку использование нижнего акцепторного уровня ртути ( 0 087 эВ) позволяет получить приемник, область чувствительности которого охватывает все существенное окно прозрачности атмосферы в области 8 - 14 мкм, то разработке такого приемника было уделено значительное внимание. Его недостатком является то, что он требует охлаждения по крайней мере до 40 К. Для получения таких температур на практике используются жидкий неон, охладители, основанные на цикле Стерлинга или двухступенчатые охладители, работающие на эффекте Джоуля - Томсона. [9]

Микрофотограмма края основной полосы поглощения закиси меди. ( По Е. Ф. Гроссу. [10]

Тепловое движение переводит на освобождающийся акцепторный уровень электрон из заполненной зоны, что приводит к возрастанию дырочной проводимости. [11]

Электроны основного вещества легко переходят на акцепторный уровень, а в валентной зоне появляются дополнительные положительные дырки, которые заполняются другими электронами. Такое встречное движение дырок и электронов создает электрический ток в полупроводнике р-типа. [12]

Схематическое представление процессов, происходящих в полупроводнике ( кремнии, содержащем примеси. [13]

Перенос электрона из валентной зоны на акцепторный уровень требует также небольшой энергии Ed. Дырка, остающаяся в валентной зоне, вносит вклад в проводимость полупроводника. Теперь проводимость полупроводника обусловлена переносом положительных зарядов, и он относится к полупроводникам р-типа. Увеличение температуры влияет на примесные полупроводники так же, как на собственные, поскольку вследствие теплового движения электроны переходят на донорные и акцепторные уровни. [14]

Схема движения носителей в лазерном диоде. [15]

Страницы: 1 2 3 4