Акцепторный уровень

Cтраница 4

В отличие от предыдущего случая под влиянием теплового или иного возбуждения электроны переходят с верхних уровней заполненной валентной зоны на незаполненный акцепторный уровень, имеющий энергию оа. [46]

Появление перегибов на коротковолновом крае основного пика излучения при высоких температурах или больших плотностях тока может быть объяснено рекомбинацией через основной акцепторный уровень без участия ассоциированного донора. [47]

Простейшая зонная схема ZnS-Cu, С1 - фосфора. [48]

При помощи зонной схемы ( рис. 47) это можно представить как переход электрона с донорного уровня хлора на расположенный ниже акцепторный уровень меди или как сумму следующих элементарных процессов [ ср. [49]

Спектральная характеристика излучения лазера в режимах генерации и отсутствия ее.| Диаграмма направленности излучения лазера в режиме. генерации. [50]

Первый тип обусловлен нереходом свободной дырки в зону проводимости или на мелкий донорный уровень, второй - переходом свободного электрона на акцепторный уровень, третий - переходом с донорного уровня на акцепторный и, наконец, четвертый - переходом с донорного уровня в валентную зону. Третий тип излучения ( вызываемый переходом с донорного уровня на акцепторный) - это основной тип излучения в материале р-типа. [51]

Спектральная харак - [ IMAGE ] Диаграммы направ-теристика лазера ленности лазера. [52]

Первый тип обусловлен переходом свободной дырки в зону проводимости или на мелкий донорный уровень, второй - переходом свободного электрона на акцепторный уровень, третий - переходом с донорного уровня на акцепторный и, наконец, четвертый - переходом с донорного уровня в валентную зону. Третий тип излучения ( вызываемый переходом с донорного уровня на акцепторный) - это основной тип излучения в материале р-типа. [53]

В [134] сообщается, что в CdS вводились оптически активные атомы серы, а междоузельный атом теллура в ZnTe [135] может создавать двойной акцепторный уровень. [54]

Мы можем временно принять для AgBr и ТП механизм Митчелла, согласно которому вакантное основное состояние S красителя принимает электрон или с заполненного акцепторного уровня Ag ( T1), или прямо из валентной зоны. Затем смещением уровней аниона красителя вверх уровень прилипания Вг2 ( 12) может быть достигнут. Конечный результат будет тот же, как в механизме передачи энергии, и эти механизмы не смогут быть различимы. Мы не знаем, однако, ни точного положения уровней прилипания, ни величины смещения уровней аниона красителя для окончательного рассмотрения такой возможности. Имеются также дополнительные трудности в электронном обмене, который еще не рассмотрен. Имеется искривление вверх зоны проводимости и заполненной зоны у отрицательно заряженной поверхности, которое увеличивает потенциальный барьер для перехода электрона, но не влияет существенно на передачу энергии. [55]

Пусть образец GaAs с концентрацией доноров ND см 3 и акцепторов NA см-3 имеет донорный уровень, расположенный весьма близко к зоне проводимости, и акцепторный уровень с энергией, меньшей на величину ЬЕ. В высокоомном GaAs, согласно Уэлану и Уитли [101], ЬЕ 0 54 эв, согласно Вейсбергу, Роси и Хэркар-ту [98], - 0 7 эв, а согласно Томпсону 2), - 0 68 эв. [56]

Прежде всего рассмотрим область температур, при которых вероятность перехода электрона из заполненной зоны в зону проводимости пренебрежимо мала по сравнению с вероятностью перехода на акцепторный уровень. При этих условиях наблюдается чисто примесная электропроводность. [57]

Можно представить, что адсорбция акцептора электронов на окисле jo - типа происходит путем, сходным с путем возникновения слабой связи за счет электрона, переходящего с ионизованного акцепторного уровня; появление вакансии на акцепторном уровне способствует смещению термического равновесия в сторону образования большего числа положительных дырок, увеличению электропроводности и уменьшению температурного коэффициента процесса проводимости. [58]

В этом случае допускаются достаточно далекие перемещения электронов, когда электрон берется из одного места решетки ( от донорного уровня) и переходит через зону проводимости к молекуле - на какой-то акцепторный уровень, что, естественно, требует активного центра, тесно связанного с кристаллической решеткой. [59]

В § 9 - 3 при рассмотрении процессов рекомбинации обсуждались различные виды переходов вниз ( рис. 9 - 9, а): межзонные переходы, переходы из зоны проводимости на акцепторный уровень или с до норного уровня в валентную зону, переходы через глубоко залегающие примесные уровни ( ловушки) и др. Все эти переходы могут сопровождаться излучением энергии как в виде фотонов, так: и в виде фононов. [60]

Страницы: 1 2 3 4