Акцепторный уровень

Cтраница 3

На зонной диаграмме дырочного полупроводника ( рис. 28, б) появляется акцепторный уровень энергии АУ, расположенный в запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны. Интервал энергии AU A между акцепторным уровнем и потолком валентной зоны по сравнению с интервалом энергии запрещенной зоны мал, поэтому валентный электрон покидает валентную зону и переходит на акцепторный уровень, восполняя недостающую ковалент-ную связь атома примеси. В валентной зоне при этом образуется дырка. В дырочном полупроводнике дырки являются основными, а электроны неосновными носителями заряда. [31]

Для оценки лыоисовской кислотности окислов в рамках квази-формионного приближения было проанализировано положение акцепторного уровня в кластерах XYm, которые моделируют активные центры в объеме или на гранях и ребрах кристалла. [32]

На энергетической диаграмме этот процесс соответствует переходу электрона 2 из валентной зоны на акцепторный уровень Еа, расположенный вблизи потолка валентной зоны. В результате образуются свободные уровни в валентной зоне, соответствующие дыр кам, а акцепторный атом превращается в отрицательный ион. Разность Еа-Ев представляет собой энергию ионизации акцепторов. Дырки в этом случае являются основными носителями. Типичные доноры и акцепторы и энергии их ионизации приведены в приложении 1.2. При современном состоянии полупроводниковой технологии концентрации доноров и акцепторов можно изменять ( легированием) в широких пределах от 1013 до ГО21 см-3. При этом энергия ионизации уменьшается. При очень высоких концентрациях ( более 1020см - 3) примесная зона расширяется настолько, что соединяется с зоной проводимости для полупроводника / г-типа или с валентной зоной для полупроводника р-тнпа. В результате энергия ионизации уменьшается до нуля и возникает частично заполненная зона. Как и в металлах, в таком полупроводнике проводимость существует при 7 0 К. [33]

Когда на поверхности адсорбирована молекула с акцепторными свойствами, в зависимости от расположения акцепторного уровня адсорбированной молекулы и уровня ловушки электронов могут наблюдаться диссоциативный захват электрона с образованием радикала, отсутствие всякого взаимодействия между адсорбентом и ад-сорбатом и захват электрона адсорбированной молекулой. [34]

В этом случае основным механизмом излучательной рекомбинации является рекомбинация с переходом носителя из разрешенной зоны на примесный акцепторный уровень. [35]

Выше 77 К кривая еще раз спадает ( в согласии с предыдущими исследованиями) в результате действия нижнего акцепторного уровня. [36]

Схема энергетических - . - , - - - - - - - Е-026 зВ ( А. [37]

Полупроводник легирован амфотерпой примесью с концентрацией N, создающей донорный уровень Ed в нижней половине запрещенной зоны и акцепторный уровень Ел - в верхней. [38]

Необходимо заметить, что пустой донорный уровень, соответствующий иону Аи, может быть выявлен путем введения примеси, акцепторный уровень которой расположен очень близко к валентной зоне. [39]

Энергия ионизации акцептора - это минимальная энергия; которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтобы перевести его на акцепторный уровень. [40]

Электропроводность закиси никеля обусловлена передачей электрона из заполненной зоны, или, ак ее называют, валентной, на акцепторный уровень. [41]

Энергия ионизации акцептора - это минимальная энергия, которую необходимо сообщить электрону валентной зоны, чтобы перевести его на акцепторный уровень. [42]

Например, золото в кремнии дает донорный уровень, расположенный выше валентной зоны на 0 35 эв, и акцепторный уровень, расположенный на 0 54 эв ниже зоны проводимости. [43]

В германии, золото создает три акцепторных уровня и один донорный; в кремнии медь создает один донорный и один акцепторный уровень. [44]

Это противоречит положениям, принятым в перескоковой модели, но легко объясняется зонной теорией, поскольку последняя принимает, что акцепторный уровень неглубок. [45]

Страницы: 1 2 3 4