Акцепторный уровень

Cтраница 2

Переход 1 - тепловой переход электрона на акцепторный уровень из зоны проводимости. [16]

Зависимость удельной электропроводности от температуры. [17]

При переходе электрона из валентной зоны на акцепторный уровень в валентной зоне образуется дырка, которая может перемещаться в заполненной зоне, что и вызывает дырочный ток в полупроводниковом материале с акцепторной примесью. [18]

Контакт металл-полупроводник. а - равновесие. б - приложено поле. в г - рекомбинация.| Контакт металл-полупроводник. а - равновесие. б - приложено поле. в - разоваиа электронно-дырочная пара. [19]

Тогда электрон из валентной зоны перепрыгивает на акцепторный уровень, в результате чего образуется электронно-дырочная пара. Затем этот цикл повторяется. [20]

Схема энергетических уровней полупроводника / г-типа ( а и р-типа ( б. [21]

Образованию дырки отвечает переход электрона из валентной зоны на акцепторный уровень. Обратный переход соответствует разрыву одной из четырех ковалентных связей атома примеси с его соседями и рекомбинации образовавшегося при этом электрона и дырки. [22]

Так, например, избыток висмута, во-первых, дает один акцепторный уровень на один атом, во-вторых, значительно уменьшает подвижность дырок, и в-третьих, очень слабо воздействует на подвижность электронов. Все эти три обстоятельства указывают на то, что избыток атомов висмута частично заменяет теллур в подрешетке анионов. С другой стороны, избыток теллура, во-первых, дает один электрон на атом, во-вторых, значительно понижает подвижность электронов и, в-третьих, оказывает слабое влияние на подвижность дырок; все это говорит о локализации атомов теллура в подрешетке катионов. Избыток йода дает 1.5 электрона на атом и имеет приблизительно одинаковое влияние как на подвижность дырок, так и на подвижность электронов. Поэтому можно предположить, что атомы йода распределяются более или менее равноценно в обеих подрешетках и дают по два электрона, когда замещают висмут, и по одному - когда замещают теллур. Очевидно, свинец частично замещает висмут, так как его атомы являются акцепторами и резко уменьшают подвижность электронов. Серебро является донором, но действует одинаково как на подвижность дырок, так и на подвижность электронов и имеет аномально большой коэффициент диффузии. Все это свидетельствует в пользу того, что атомы серебра занимают междоузлия решетки теллурида висмута. [23]

При переходе 3 фотон перево - %, дит электрон на акцепторный уровень из валентной зоны, оставляя там свободную дырку. [24]

Модель образования дырочной примесной проводимости в кремнии или в германии. [25]

Уже при невысокой температуре электроны из валентной зоны переходят на этот акцепторный уровень Еа, оставляя дырку в валентной зоне. Полупроводники с избытком дырок ( с акцепторными примесями) называются дырочными или р-типа полупроводниками ( от лат. [26]

В состоянии теплового равновесия электроны с мелких донорных уровней полностью заполняют верхний акцепторный уровень. Концентрация доноров выбирается такой, чтобы результирующая проводимость базы была электронной. Глубокие уровни при сжатии смещаются к дну зоны проводимости. Следовательно, с ростом давления заполнение акцепторного уровня золота уменьшается и проводимость базы растет. Одновременно происходит уменьшение Eg кремния, что приводит к дополнительному увеличению проводимости базы. Рост проводимости базы S-диода приводит, как обычно, к уменьшению напряжения включения. Эксперименты показали, что изменение остаточного напряжения под действием давления - того же порядка, что и напряжения обычного р - га-перехода при прямом смещении ( при постоянном токе), а напряжение включения изменяется во много раз сильнее. [27]

Электрическая схема намерения в методе аффекта поля с двусторонним конденсатором.| Кривые аффекта поля образца Л5 в ( таблицу. [28]

Литий, замещающий регулярный катион Nia, в сочетании с Nis образует акцепторный уровень. Акцепторный уровень, занятый электроном, дает активный центр, на котором выгодна и более прочна адсорбция кислорода. Растворение лития приводит к росту количества активных центров адсорбции с более низкой начальной энергией активации. При растворении WOS в TiOz предполагается аналогичный механизм образования локальных заряженных дефектов, служащих активными центрами адсорбции. [29]

Рассмотрим полупроводник, в котором межзонная рекомбинация маловероятна и преобладает рекомбинация через глубокий акцепторный уровень Пусть материал компенсирован, так что акцепторные уровни преимущественно заняты электронами. Оптически генерируемые неравновесные дырки быстро захватываются акцепторными центрами и затем наблюдается рекомбинация, когда фотоэлектроны также захватываются акцепторными центрами, которые уже захватили дырки Так как число захваченных дырок может быть существенно меньше числа реком-бинационных центров, то захват дырок может происходить быстрее, чем захват электронов, что обусловливает большее время жизни электронов. Большая величина времени жизни электронов в свою очередь ограничивает сечение захвата для электронов. [30]

Страницы: 1 2 3 4