Уровни - прилипание
Cтраница 1
Уровни прилипания ( как для электронов, так и для дырок) проявляются в увеличении проводимости за счет добавления основных носителей тока, которые точно нейтрализуют пространственный заряд, появляющийся в связи с захватом неосновных носителей. Однако в отличие от дырочного кремния в электронных образцах ловушки дают спад фотопроводимости, очень близкий к чисто экспоненциальному. Отсутствие многократного захвата означает, что электронные образцы кремния проще изучать, чем дырочные. Главным образом поэтому нами были проведены обширные исследования температурной зависимости параметров ловушек в электронных образцах кремния. [1]
Уровни прилипания в более глубоких слоях образца не будут пол костью заполнены. [2]
Положение - уровней прилипания относительно дна зоны проводимости можно определить путем сравнения с уровнем Ферми. [3]
Положение - уровней прилипания относительно валентной зоны можно определить, измеряя температурную зависимость сечения захвата дырок и скорости теплового выброса 1 / т; и применяя затем принцип детального равновесия. [4]
Наличие в полупроводнике уровней прилипания может существенно увеличить время жизни неравновесных, носителей заряда. [5]
Для исключения влияния уровней прилипания необходима постоянная подсветка образца. [6]
Чтобы избежать влияния уровней прилипания, делают дополнительную подсветку немодулируемым светом. Генерируемые при этом пары забивают уровни прилипания и их влияние снижается. [7]
В силу близости уровней прилипания к полосе проводимости локальный нагрев стирает энергетическую разницу между обоими. Условия в люминофоре приближаются к верхнему мгновенному состоянию, когда решетка теряет способность запасать поглощаемую энергию. В данном случае речь идет, конечно, о чисто локальном нагреве, который может и не отразиться на спектральном составе излучения. Характерно, что наличие реком-бинационных процессов и заметный отход кривых затухания ( и разгорания) от экспоненциального типа бросаются в глаза только при очень малой плотности возбуждения. [8]
 |
Уровни прилипания ( а, 6 н глубокие примесные уровни ( в в полупроводниках. [9] |
Наличие в полупроводнике уровней прилипания может существенно увеличить время жизни неравновесных носителей заряда, что будет подробно рассмотрено в дальнейшем. [10]
Большинство электронов попадет на уровни прилипания, и лишь часть 6 остается свободной. Предположим также, что электроны захватываются за время, малое по сравнению с их временем жизни. Поток возбужденных электронов мы можем разделить на два потока: меньшая часть направляется в зону проводимости, а большая чясть - на захватывающие центры. Эта картина предполагает, что шумовые свойства в этом случае можно рассматривать так же, как шум потока электронов, делящегося между двумя близко расположенными. [11]
Таким образом, присутствие уровней прилипания в условиях стационарного режима не сказывается на концентрации неосновных носителей тока. [12]
 |
Релаксационные кривые фототока в CdS при разной интенсивности света / в %. / - 100. 2 - 5. 3 -. [13] |
Проведенное выше рассмотрение влияния уровней прилипания на релаксационные кривые не является, как это уже подчеркивалось, рассмотрением в общем виде. [14]
При освобождении электронов с уровней прилипания не исключена, конечно, и роль тех градиентов потенциала, которые могут возникнуть в самом люминофоре при электронной бомбардировке [ 225, стр. [15]
Страницы: 1 2 3 4