Уровни - прилипание
Cтраница 4
В § 9 этой главы показано, что при некотором вполне реальном распределении уровней прилипания в запрещенной зоне время ответа фотопроводника практиче ски не зависит от фоточ ветвптельностп при постоянной интенсивности света. [46]
В конечном счете различие в характерах распределения заряда в фотоэлектретах определяется степенью заполнения уровней прилипания. Барьерный характер распределения заряда соответствует слабому заполнению уровней прилипания, а объемный - сильному. На характер распределения заряда в фотоэлектрете могут накладывать отпечаток сквозная проводимость и гомоза-ряд. [48]
В этот момент стационарное состояние будет нарушено и далее произойдет следующий переходной процесс: уровни прилипания начнут захватывать электроны, концентрация электронов в с-зоне понизится, уменьшится их поток на рекомбинационные центры и в соответствии со сказанным выше тп уменьшится, a t возрастет. Рассуждения, аналогичные рассмотренным в настоящем параграфе, могут быть проведены и для случая захвата дырок из v-зоны уровнями прилипания для дырок. [49]
 |
Зависимость омического сопротивления волокон полиакрилонитрила от температуры. [50] |
Известно, что в неорганических полупроводниках при адсорбции кислорода создаются иногда локальные уровни ( уровни прилипания), благодаря чему электрические свойства этих веществ претерпевают значительные изменения. Что же касается полимеров с системой сопряженных связей, то адсорбция кислорода оказывает чрезвычайно сильное воздействие на весь комплекс полупроводниковых свойств и этих веществ. Причем происходит не только изменение величины удельного сопротивления, но в ряде случаев адсорбция сопровождается также изменением и знака носителей тока. [51]
На рис. 52 показана диаграмма, поясняющая расположение в запрещенной зоне рекомбинационных уровней и уровней прилипания. [52]
На рис. 50 показана диаграмма, поясняющая расположение в запрещенной зоне рекомбинационных уровней и уровней прилипания. [53]
На рис. 52 показана диаграмма, поясняющая расположение в запрещенной зоне рекомбинационных уровней и уровней прилипания. [54]
На рис. 84 представлены релаксационные кривые нарастания и спадания концентрации электронов при наличии - уровней прилипания. [55]
Однако результаты измерения могут сильно искажаться из-за влияния рекомбинации носителей на поверхности и наличия уровней прилипания. [56]
Страницы: 1 2 3 4