Cтраница 2
Эти предположения позволяют объяснить существование уровней прилипания для дырок в электронном материале при неравновесных условиях. [16]
Экспериментально доказано существование двух типов уровней прилипания для электронов в кремнии jo - типа. Анализ экспериментальных данных приводит к модели многократного захвата, кинетика которого объясняет результаты наблюдений. Параметры ловушек определяются из условия совпадения экспериментальных данных с теорией. Для обоих типов уровней определены концентрации и энергетические положения ловушек, сечение захвата S и время т 7, в течение которого электроны находятся на данных уровнях. В кристаллах с низким сопротивлением доказано существование механизма потери электронов глубокими уровнями ( рекомбинация); скорость этого процесса пропорциональна квадрату концентрации дырок. Показано, что концентрация глубоких ловушек приближенно пропорциональна проводимости образца. [17]
При участии и без участия уровней прилипания величина излучаемого кванта остается одинаковой; спектры излучения в момент возбуждения и при фосфоресценции в простейших случаях совершенно тождественны. [18]
В рассматриваемой модели еще не введены уровни прилипания. Следовательно, время ответа фотопроводника будет равно времени жизни основных носителей - Время ответа равно времени установления Стационарного значения фототока ( или определенной доли этого стационарного тпачения, например 0 5) после начала освещения. Отметим, что если бы мы проследили за уменьшением фототока вплоть до значения темпового тока, то обнаружили бы длинновре-мепной хвост фототока, сравнимый по величине с темновым током. [19]
К мелким уровням относятся и так называемые уровни прилипания, пли, как еще говорят, ловушки захвата. [20]
Таким образом, биполярная ( без уровней прилипания) модель может, при наличии большой концентрации уровней прилипания, привести к монополярной фотопроводимости. [21]
Если справедливо обратное, то существованием уровней прилипания можно пренебречь. [22]
Здесь принято, что изменение заполнения уровней прилипания пропорционально избыточным концентрациям свободных носителей заряда. [23]
Отсюда возникает принципиальная возможность исключения влияния уровней прилипания на время фотоотклика [17] и тем самым измерить непосредственно время жизни фотоносителей, ибо теперь постоянная времени фотоотклика совпадает с временем жизни. [24]
Кроме того, так как концентрация уровней прилипания велика по сравнению с концентрацией свободных носителей, с хорошим приближением можно считать, что инжектированный заряд находится на захватывающих центрах. [25]
Если выполнить тот же эксперимент при наличии уровней прилипания, но при условии, что время захвата больше времени пролета, следует ожидать, что начальный ток будет соответствовать случаю свободных носителей при отсутствии уровней прилипания. [26]
Эти результаты мы рассматриваем как дополнительное доказательство существования уровней прилипания в германии n - типа при низких температурах. Подразумевается, что неосновные носители тока захватываются, если постоянной подсветкой создано недостаточное число пар, заполняющих ловушки. [27]
Нижняя часть соответствует отсутствию подсветки; электроны попадают на уровни прилипания, это определяет характер спада фотопроводимости. [28]
В результаты измерения дрейфовой подвижности существенные искажения могут вносить уровни прилипания. При наличии этих уровней неосновные носители по пути к ко У лектору захватываются ими и затем тепловым движением выбрасываются обратно в зону. Очевидно, что определяемое в этих условиях время t0 будет завышено на время пребывания носителей на уровнях прилипания. [29]
Предположим, что в полупроводнике, в котором отсутствуют уровни прилипания, а усиление равно G, падающий поток света создает F возбуждений в секунду. Это означает, что каждый элемент ( или возбуждение) в среднем приводит к прохождению во внешней цепи заряда Ge. Поскольку окончание, так же как и начало жизни свободного электрона, Является случайным процессом, возникает равный предыдущему источник шума, обусловленный слу - naifHbiM характером рекомбинационных процессов. [30]