Уровни - прилипание
Cтраница 3
Рассмотрим теперь второй механизм исчезновения электронов - рекомбинацию с уровней прилипания. [31]
Представлено экспериментальное доказательство существования по крайней мере двух видов уровней прилипания для дырок в объеме кремния n - типа. [32]
В связи со сказанным легко представить себе характер влияния уровней прилипания на тл и тр, рассмотрев, например, следующий мысленный эксперимент. [33]
Из этой формулы видно, что при большом заполнении уровней прилипания второе слагаемое в скобках может быть величиной, меньшей единицы, и тмгн приближается к величине времени жизни. По мере же опустошения уровней прилипания с течением времени многократное прилипание играет все большую роль ( второе слагаемое увеличивается при уменьшении п), замедляя процесс спадания. [34]
Уровни, расположенные вблизи Dn, могут играть роль как уровней прилипания, так и уровней рекомбинации, так как электроны на этих уровнях имеют равную вероятность термически возбудиться в зону проводимости или захватить свободную дырку. Уровни, лежащие немного выше О, имеют в основном характер уровней прилипания, так как скорость термического возбуждения в зону проводимости увеличивается экспоненциально приблизительно в 100 раз ( при комнатной температуре) для уровня, расположенного выше Д, на 0 1 эв. [35]
Выражение (6.26) идентично выражению (6.8) для среднеквадратичного шума фотопроводника без уровней прилипания. Действие уровней прилипания приводит к сужению полосы пропускания системы от значения, соответствующего времени жизни свободных носителей, до значения, определяемого временем жизни захваченных носителей, которое является обычным временем ответа фотопроводника при наличии уровней прилипания. [36]
На основании изложенного можно сделать следующее общее заключение о характере влияния уровней прилипания на время жизни неравновесных электронов и дырок в стационарном состоянии: захват носителей уровнями прилипания приводит к уменьшению времени жизни носителей того знака, которые захватываются этими уровнями. Напротив, время жизни неприлипающих носителей возрастает. [37]
Исследование тмгн дает в ряде случаев возможность определить тя и характеристики уровней прилипания. [38]
По положению и форме максимума могут быть сделаны заключения о параметрах уровней прилипания. Недостатком метода термостимулированной проводимости являются относительная сложность процесса, в котором одновременно меняются и время и температура, и как следствие сложная форма связи между характеристиками наблюдаемой кривой и параметрами уровней. [39]
 |
Кривые релаксации при наличии уровней прилипания р-типа. [40] |
Пунктирной линией показаны кривые в тех же условиях, но при отсутствии уровней прилипания. [41]
Только при очень большом уровне возбуждения либо при большой постоянной подсветке влияние уровней прилипания на кривые релаксации примесной фотопроводимости исчезает. [42]
Равенство ( 2 И) было выведено для сличая свободных электронов и отсутствия уровней прилипания. [43]
 |
Кривые релаксации при наличии уровней прилипания а-типа. [44] |
Пунктирной линией показаны релаксационные кривые в тех же условияк, ЕЮ при отсутствии уровней прилипания. [45]
Страницы: 1 2 3 4