Акцепторные уровни

Cтраница 1

Акцепторные уровни - энергетические уровни локализованных состояний электронов, заполнение которых приводит к появлению дырок в валентной зоне. Ангармонизм колебаний - свойство колебаний, обусловленное их отклонением от гармонического. [1]

Акцепторные уровни расположены выше потолка валентной зоны, и при наличии энергии активации АЕ0 электроны лз валентной зоны могут переходить на указанные уровни, оставляя в зоне незанятые энергетические уровни - дырки. Этот переход сопровождается превращением акцепторов в отрицательно заряженные ионы, которые также не участвуют s электропроводности. [2]

Расположение примесных уровней в запретной зоне. [3]

Акцепторные уровни располагаются выше потолка валентной зоны и захватывают электроны от нее, оставляя свободные электронные состояния-дырки. [4]

Уровни энергии электронов в полупроводниках. [5]

Акцепторные уровни возникают за счет примесей, могущих воспринимать электроны из валентной зоны. Эти уровни образуются вблизи верхней части валентной зоны. Переход электронов из валентной зоны на акцепторные уровни осуществляется более легко, чем в зону проводимости, поскольку здесь необходимо преодолеть лишь часть запрещенной зоны. Переходы электронов на акцепторные уровни эквивалентны переходам дырок, локализованных на этих уровнях в валентную зону. [6]

Акцепторные уровни ( Et) на поверхности полупроводника обусловлены поверхностными состояниями и расположены ниже уровня Ферми. Приповерхностный слой полупроводника обеднен электронами, и в нем образуется положительный пространственный заряд. Таким образом, в данной структуре изгиб зон на поверхности полупроводника имеется и при отсутствии внешнего напряжения. [7]

Эти акцепторные уровни связаны с появлением пустых узлов в кристаллической решетке. [8]

Зависимость энергии ионизации примеси от фактора анизотропии эффективной массы электрона. [9]

Удовлетворительная теория акцепторных уровней в кремнии отсутствует, так как в этом случае энергия ионизации акцептора по порядку величины равна значению спин-орбитального расщепления. [10]

Энергия ионизации акцепторных уровней вблизи зоны проводимости, Там, где не отмечено специально, - комплекс: дефект - примесь. [11]

Обоснование модели двойных акцепторных уровней нельзя считать достаточно убедительным. Возможно, что существование двух различных уровней, наблюдаемых в связи с каждым из изученных переходных металлов, объясняется тем, что примесные атомы занимают в решетке, примерно в равных концентрациях, положения двух типов. Числа дефектов решетки даже в лучших кристаллах, вероятно, достаточно для объяснения наблюдаемой растворимости железа, кобальта и никеля. Наблюдаемое сходство спектров примесной фотопроводимости для кристаллов гс-типа может указывать на то, что верхние уровни обусловлены структурными дефектами или какими-либо другими факторами, общими для кристаллов, легированных железом, кобальтом или никелем, и не зависящими от атомных свойств данной конкретной примеси. [12]

Молекулы 02 создают акцепторные уровни. [13]

Уровни энергии электронов по зонной теории. [14]

Зонная теория связывает акцепторные уровни с энергетическими уровнями активатора, вводимого в кристалл в процессе приготовления люминофора, а донор-ные уровни - с дефектами структуры кристалла. В результате на уровнях активатора образуются вакансии для электронов, называемые ионизованными центрами свечения. Электроны из свободной зоны частично переходят в центры свечения ( переход 4) и рекомбинируют с ними. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5