Акцепторные уровни

Cтраница 4

Следует отметить, что в полупроводнике и-типа наблюдается значительное число акцепторных уровней, а в полупроводнике / j - типа - значительное число донорных уровней. Кроме того, показано неравномерное распределение состояний. Это сделано умышленно для того, чтобы подчеркнуть, что никакое отдельное электрическое измерение не дает ( и нельзя рассчитывать, что оно может дать) достаточно удовлетворительную информацию для проведения подробной корреляции с явлениями адсорбции и катализа. [46]

Рассуждения, сходные с изложенными выше, применимы к рассмотрению акцепторных уровней вакансий металла. При этом H ass в выражении (IX.65) заменяется на Яа88 - Как уже указывалось в разделе IX.2.4, величина Я 88 в этом случае гораздо больше, тогда как H ass почти такая же, как H s Для вакансий галогенов. Поэтому теперь АЕ г 0, и акцепторный уровень ассоциата находится значительно дальше от валентной зоны, чем уровень простых дефектов. [47]

Зонная диаграмма полу - мньшая. ч Для разрыва КОВалвНТ-проводника р-типа нои связи. В германии и кремнии для. [48]

При температуре абсолютного нуля и в отсутствие внешнего воздействия на полупроводник акцепторные уровни свободны от электронов. По мере повышения температуры электроны валентной зоны будут заполнять эти локальные уровни при одновременном образовании в валентной зоне соответствующего числа дырок ( рис. 7.7, переходы /), Вместе с тем возможны и переходы 2, при которых образуется пара свободных носителей: электрон-дырка. [49]

Процесс кристаллизации соединения AHI BV из расплава не-стехиометрического состава перемещением лодочки вдоль неподвижного температурного градиента.| Процесс кристаллизации соединения Аш BV из расплава несте-хиометрического состава изменением положения температурного градиента при неподвижной лодочке. [50]

В качестве контейнерного материала применяется графит, хотя примеси углерода создают акцепторные уровни и ухудшают оптические свойства фосфида галлия. Перспективны контейнеры из нитридов бора, алюминия, а также стеклоуглерода. [51]

Следует отметить, что для нашего рассмотрения не требуется, чтобы акцепторные уровни слились с валентной зоной, хотя на диаграмме показан именно этот случай При меньших концентрациях акцепторные состояния будут отделены энергетически от основной зоны либо в виде дискретных уров ней, либо в виде примесной зоны. [52]

При более высоких температурах будет достигнуто такое состояние, когда все акцепторные уровни окажутся заполненными электронами, перешедшими из валентной зоны. [53]

Примесные нестехиометрические соединения имеют, как правило, несколько локальных донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне, из которых одни связаны с собственными атомными дефектами - междуузельными атомами или вакансиями, а другие - с примесными центрами, рассмотренными в предыдущем разделе. [54]

Энергетический спектр примесного дырочного полупроводника. [55]

При низких температурах концентрация дырок экспоненциально растет, а затем, когда все акцепторные уровни уже забиты, становится постоянной, вплоть до того момента, когда начинает проявляться собственная проводимость. При определенном содержании примесей дырочный полупроводник превращается в дырочный полуметалл. [56]

Нарушения стехиометрических отношений между катионами и анионами также может приводить к появлению донорных или акцепторных уровней. [57]

Однократно ионизованные атомы примеси образуют донорные локальные уровни, лежащие вблизи зоны проводимости, и акцепторные уровни - вблизи валентной зоны. Формула ( 17) применима лишь при небольших концентрациях примесей. [58]

В качестве акцепторных примесей для легирования карбида кремния чаще всего используются алюминий и бор, соответственно создающие акцепторные уровни с энергией активации 0 27 и 0 39 эв. [59]

Результирующая концентрация донорных и акцепторных атомов при наличии примесей обоих типов для Т О К. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5