Акцепторные уровни

Cтраница 3

Все они, как правило, создают дополнительные акцепторные уровни. [31]

Иногда нагревание кристалла приводит к взаимодействию этих локальных акцепторных уровней ( положительных свободных валентностей) с эквивалентным количеством донорных уровней ( О8 - или отрицательных свободных валентностей) и к их взаимному уничтожению. На этих центрах, вероятно, и протекают гомолитиче-ские окислительно-восстановительные реакции. [32]

Если NgNa, то при T-Q К все акцепторные уровни заполняются электронами, перешедшими с донорных уровней, и атомы акцепторов превращаются в отрицательные ионы. При этом образуется такое же число положительных донорных ионов, а число нейтральных атомов доноров уменьшается до Ng-Na. При повышении температуры, именно, эти атомы будут отдавать электроны, обусловливающие электронную проводимость. Поэтому разность Ng - Л; следует считать эффективной концентрацией доноров. При NaNg получаем полупроводник / 7-типа с эффективной концентрацией акцепторов, равной Л 0 - Ng. Если Na-Ng, то эффективная концентрация равна нулю, а полупроводник называется компенсированным. Он имеет такую же концентрацию свободных носителей, как и собственный. [33]

Таким образом, в ряде случаев удается компенсировать акцепторные уровни, образующиеся в обычных условиях. В этом отношении весьма интересны результаты Сакаи и Такахаси [177], которые легировали пленки германия примесями фосфора, мышьяка и сурьмы. [34]

Ширина энергетического барьера, разделяющего заполненную зону от акцепторных уровней, значительно меньше ширины энергетического барьера между заполненной и свободной зонами. Поэтому для перевода электрона из заполненной зоны на акцепторный уровень ему требуется сообщить значительней меньшую энергию, чем для перевода в свободную зону. [35]

Увеличение наклона с продолжительностью отжига указывает на существование акцепторных уровней, лежащих высоко ( по-видимому, на расстоянии около 0 25 эе) над потолком валентной зоны. [36]

Примеси с более низкой валентностью будут вызывать появление примесных акцепторных уровней, расположенных несколько выше заполненной ( валентной) зоны. Из валентной зоны электрон может быть поднят на акцепторные уровни, создавая при этом дырки. [37]

Аналогичная задача была решена в работе [26] и для акцепторных уровней в германии, причем значение Еа оказалось равным 0 0089 эв, если отсчет энергии вести от потолка валентной зоны. [38]

Ez увеличивается, а в дырочном полупроводнике при наличии акцепторных уровней уменьшается. Кроме того, положение химического потенциала в системе энергетических уровней полупроводника несколько изменяется с температурой. [39]

Окись цинка с избыточными атомами цинка в.| Зонная схема для окиси. [40]

Иначе говоря, наличие катионных Вакансий приводит к появлению акцепторных уровней и тем самым к дырочной проводимости. [41]

Если, напротив, донорные уровни анионных вакансий лежат выше акцепторных уровней катионных вакансий ( рис. 5.1 6), то в основном состоянии кристалла электроны локализованы на катионных вакансиях, обеспечивая их отрицательный эффективный заряд, а лишенные электронов анионные вакансии имеют положительный эффективный заряд. Такая ситуация типична не только для кристаллов с характером связи, приближающимся к ионному, но и для соединений с промежуточным характером связи. Поэтому дефектную структуру таких соединений можно описывать в рамках ионной модели, согласно которой основное состояние соответствует заряженным вакансиям. [42]

Однако существует и другой вид примеси - акцепторной, создающей акцепторные уровни, которые примыкают к спектру ( зоне) основных энергетических уровней электронов. [43]

Энергетическая диаграмма для контакта между полупроводником п-типа и полупроводником р-типа. [44]

В этом случае электроны из металла переходят на свободные и более низкие дополнительные акцепторные уровни атомов примеси в полупроводнике. При этом на границе с металлом образуется объемный отрицательный заряд из отрицательных ионов примеси, а на поверхности металла положительный заряд. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5