Акцепторные уровни

Cтраница 2

Концентрации донорных или акцепторных уровней определяются в данном кристалле содержанием донорных или акцепторных примесей, которые были введены в кристалл при его выращивании или путем диф-фузик. [16]

При температуре 0 К акцепторные уровни не заполнены. [17]

Локальный поверхностный уровень Р, обусловленный адсорбированной молекулой М. [18]

Таким образом, заполнение акцепторных уровней, создаваемых адсорбированными частицами, означает локализацию электронов около этих частиц и заряжение их отрицательным знаком. [19]

Никаких указаний на наличие акцепторных уровней цинка в верхней половине запрещенной зоны ( как у золота) не было получено. Соответствующие методы исследования более полно обсуждены в разделе, посвященном платине. [20]

Рскомбинационными ловушками являются донорные или акцепторные уровни, достаточно удаленные от границ запрещенной зоны. Процесс рекомбинации через ловушку может происходить следующим образом. Таким образом, электрон выбывает из процесса электропроводности, а ловушка становится отрицательным ионом. [21]

Рекомбинационными ловушками являются донорные или акцепторные уровни, достаточно удаленные от границ запрещенной зоны. Процесс рекомбинации через ловушку может происходить следующим образом. Таким образом, электрон выбывает из процесса электропроводности, а ловушка становится отрицательным ионом. [22]

Адсорбированный кислород образует на поверхности полупроводника акцепторные уровни, поэтому при его адсорбции электропроводность полупроводника n - типа снижается, а р-типа - повышается. Адсорбция кислорода увеличивает работу выхода в электронных и дырочных полупроводниках. [23]

Для расчета количества электронов, занимающих акцепторные уровни, это упрощение не может быть сделано, так как в этом случае экспоненциальная функция в (1.8) мала по сравнению с единицей. В этом случае необходимо пользоваться функцией Ферми. [24]

В случае дырочного полупроводника, если акцепторные уровни еще не насыщены электронами, при относительно низких температурах преобладает примесная проводимость. Однако при достижении некоторой температуры Т 0 акцепторные уровни уже не могут отбирать электроны, и собственная проводимость становится преобладающей. [25]

Если в кристалле имеются донорные или акцепторные уровни в запрещенной зоне, то при определении и. [26]

Все эти примеси создают в германии двойные акцепторные уровни, которые могут быть дважды заряжены подходящим контрлегирова-пием в процессе роста кристалла. Присутствие дважды отрицательно заряженных центров обусловливает возможность захвата дырок и как следствие-высокую фоточувствительность и эффект гашения, наблюдаемые в электронных образцах. Энергетическая модель с двумя акцепторными уровнями качественно описывает также результаты исследования постоянной Холла ( с оптически возбужденными носителями [2]) и рассеяния на заряженной примеси, а также переходные явления. [27]

Золото вводит в германий две системы акцепторных уровней. Однако поскольку верхние акцепторные уровни расположены близко к зоне проводимости, то материал может вести себя как полупроводник n - типа благодаря переходам захваченных этими уровнями электронов в зону проводимости. [28]

Если донорные уровни анионных вакансий лежат ниже акцепторных уровней катионных вакансий ( рис. 5.1 а), то в основном состоянии кристалла электроны локализованы на анионных вакансиях, обеспечивая их. В свою очередь катионные вакансии лишены электронов и также находятся в нейтральном состоянии. Такая ситуация типична для валентных соединений с малой долей ионной связи. [29]

Акцепторные примеси, принимая валентные электроны на акцепторные уровни, приводят к появлению в полупроводнике дырочной электропроводности. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5