Диэлектрическая изоляция
Cтраница 1
Диэлектрическая изоляция двуокисью кремния позволяет изготавливать разнообразные м-нтоградише схемы с характеристиками, не уступающими характеристикам навесных элементов. Однако при таком способе изоляции возрастает число требующихся технологических операций. [1]
Диэлектрическая изоляция интегральных элементов иногда создается с помощью стекла, ситалла или керамики. При этом в технологическом процессе используется вспомогательная пластинка. На монокристаллической подложке га - типа эпитаксиаль-но-диффузионным способом формируют элементы микросхемы, которые методом локального травления разделяются на меза-области. К поверхности последних приклеивают вспомогательную пластинку, а л - подложку ошлифовывают до получения раздельных элементов. В полученной структуре промежутки между компонентами заполняют диэлектриком. После этого вспомогательную пластинку удаляют. [2]
 |
Последовательность основных технологических этапов формирования островков монокристаллического кремния на поликристаллической подложке кремния методом диэлектрической изоляции. [3] |
Метод диэлектрической изоляции также имеет много вариантов. [4]
 |
Схема эпик-метода. [5] |
Недостатком диэлектрической изоляции является плохой теплоотвод из-за низкой теплопроводности изолирующего слоя. [6]
Метод диэлектрической изоляции также имеет много вариантов. [7]
 |
Получение диэлектрической изоляции в полупроводниковых интегральных микросхемах. [8] |
Метод диэлектрической изоляции ( рис. 22.23), устраняющий эти недостатки, осуществляется в следующей последовательности. Исходная пластина кремния окисляется. Слой двуокиси кремния в местах, окружающих изолированные области, удаляется и вытравливаются канавки. [9]
 |
Последовательность основных технологических этапов формирования островков монокристаллического кремния на поликристаллической подложке кремния методом диэлектрической изоляции. [10] |
Метод диэлектрической изоляции также имеет много вариантов. [11]
Основным недостатком диэлектрической изоляции является увеличение чиста технологических операций. [12]
 |
Схема VIP-процесса. [13] |
Технология создания диэлектрической изоляции недостаточно проста и требует оборудования для точной шлифовки. Процессы весьма критичны к воздействию различных технологических факторов. Этот метод является наиболее распространенным при использовании диэлектрической изоляции в технологии ИМС. [14]
Пробивное напряжение диэлектрической изоляции составляет 100 - 200 В, а изолирующего перехода примерно 70 В. Поэтому предельное напряжение диодов ограничивается либо пробивным напряжением эмиттерното перехода, либо пробивным напряжением коллекторного перехода. Предельное напряжение диодов, полученных путем соединений, изображенных на рис. 13.9, а, в, г, ограничивается пробивным напряжением эмиттерного перехода, а при соединении, указанном на рис. 13.9, б, ограничивается пробивным напряжением коллекторного перехода. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5