Диэлектрическая изоляция

Cтраница 3

В описанных структурах с полной диэлектрической изоляцией в качестве подложки применяют поликристаллический кремний. Существует метод изоляции, при котором подложкой является стеклянная пластина. Сущность метода заключается в том, что пластина кремния с полностью изготовленными ИМС, защищенными слоем SiO2, припаивается этим слоем к стеклянной пластине. После этого участки полупроводникового материала между ИМС удаляются. Недостатками метода являются необходимость точного совмещения и сложный процесс травления. [31]

Кроме того, данный метод диэлектрической изоляции позволяет изготовить на одном кристалле высокочастотные и низкочастотные диоды методом селективной диффузии золота, облегчает получение в одном кристалле р-п - р - и / г-у О-п-транзисторов. Метод диэлектрической изоляции целесообразно использовать при разработках микромодцньис логических полупроводниковых интегральных Микросхем; Основным недостатком его является более высокая, еттшастъ по сравнению с планарно-элитаксиальным. [32]

Матрица на биполярных транзисторах ( 40Х. [33]

Материалы, применяемые в качестве диэлектрической изоляции для многослойных интегральных схем, характеризуются не только сбставом, но и способом их нанесения. Это определяет многообразие различных Вариантов. Сложность многослойных структур измейяется от простейшей, состоящей из двух слоев металла и одного слоя дйэле три а. Наиболее часто применяемый материал - двуокись кршнйя, получаемая высокочастотным катодным распылением или осаждением из паровой фазы за счет окисления силана. [34]

Если в полупроводниковой микросхеме применяют диэлектрическую изоляцию элементов, то транзисторы имеют такую же двух-переходную структуру, как и их дискретные аналоги. [35]

Разновидностью технологии биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией, формируемой путем анизотропйого травления, является VIP-процесс, который отличается от V-ATE - процесса тем, что вместо воздушной изоляции применяется диэлектрическая изоляция V-канав-ками. [36]

По сравнению с изоляцией р-п переходом диэлектрическая изоляция позволяет снизить емкость между элементами ИМС и подложкой, на порядок снизить ток утечки изоляции, в связи с чем улучшаются их частотные характеристики. Кроме того, ИМС с диэлектрической изоляцией имеют более высокое пробивное напряжение и лучшую стойкость к радиации. [37]

Из классификационной диаграммы видно, что полная диэлектрическая изоляция реализована пока только на диэлектрических подложках, а в полупроводниковых подложках в основном используют первые два вида изоляции. Совершенствование методов изоляции наряду с уменьшением геометрических размеров элементов, металлизации и уменьшения глубин залегания / 7-п-переходов является основной тенденцией развития технологии производства биполярных ИМС. Основной особенностью технологии МОП ИМС является создание тонкого ( порядка 100А) подзатворного диэлектрика и затворной области. По технологическим признакам МОП ИМС принято подразделять на р -, - канальные и комплементарные. Технологической разновидностью МОП ИМС являются ИМС с металлическими и поликремниевыми затворами. [38]

Пересечение соединений с двойной изоляцией ( воздушный зазор. [39]

Разработка технологии при создании многослойных систем с двойной диэлектрической изоляцией, состоящей из воздушного зазора толщиной 5 мкм и слоя двуокиси циркония толщиной 20 мкм, дает возможность получать соединения с достаточно высокой надежностью. Контакт с нижним слоем осуществляется через окна, вытравленные в слое меди. [40]

Последовательность этапов изготовления элементов интегральной схемы. [41]

Этот способ изоляции рабочих областей по сравнению с диэлектрической изоляцией имеет некоторые технологические преимущества. Он менее трудоемок, включает меньшее количество последовательных операций и позволяет получать структуры с большим выходом. [42]

Коммутационные платы ( чаще всего одно-или двухслойные) на металлическом основании с диэлектрической изоляцией имеют большое значение при формировании мощных схем. Большое применение находят металлические пластины из стали, покрытые эпоксидной смолой или легкоплавким стеклом. Чаще всего для оснований используется не чистый, сравнительно мягкий алюминий ( например, марки АД-1), а механически прочные алюминиевые сплавы. Однако основные легирующие добавки в этих сплавах должны, как и алюминий, легко подвергаться анодному оксидированию. Кроме того, для доведения поверхности пластины до 13 - 14-го классов чистоты отработки ( например, шлифовкой, полировкой или резкой алмазными кругами) с последующим анодированием второго рода сплавы должны иметь хорошую однородность структуры и состава по всей пластине. Поэтому большое содержание легирующих добавок магния нежелательно; оптимальным является использование сплава АМГ-3, который содержит 3 2 - 3 8 % магния, 0 3 - 0 6 % марганца и 0 5 - 0 8 % кремния. [43]

Схема многослойной полнимидной платы. [44]

В качестве жесткого основания для крепления МПП - ПМ используют металлические пластины с диэлектрической изоляцией, что обеспечивает хороший теплоотвод ячейки. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5