Cтраница 5
Схема метода локальной эпитаксии. [61] |
В промышленной практике используются две группы методов, но базовыми технологиями являются среди методов изоляции р-п переходом технология разделяющей диффузии, а из всех технологических методов, использующих диэлектрическую изоляцию, - изоляцию с помощью V-канавки и изопланарная технология. [62]
Разновидностью технологии биполярных ИМС с диэлектрической изоляцией, формируемой путем анизотропйого травления, является VIP-процесс, который отличается от V-ATE - процесса тем, что вместо воздушной изоляции применяется диэлектрическая изоляция V-канав-ками. [63]
Операционный усилитель КР1407УД1. [64] |
Улучшения скоростных свойств микромощных ОУ можно добиться за счет совершенствования технологии, позволяющей формировать высокочастотные вертикальные р-п - р транзисторы совместно сп-р - п транзисторами на кремниевых структурах с диэлектрической изоляцией. Так, ОУ 154УД1 построен на комплементарных транзисторах с коллекторными областями, созданными методами ионного легирования и дополнительной диффузии. [65]
А - структура с диэлектрической изоляцией элементов; В - толстослойная структура со сниженной длиной диффузионного смещения носителей в базовой области; В - тонкослойная структура на изолирующей подложке; Г - тонкослойная структура - мембрана; 1 3 4 - то же, что на рис. 1; 6 - диэлектрическая изоляция; 7 - подложка. [66]