Диэлектрическая изоляция
Cтраница 4
Наряду с биполярными транзисторами, изолированными р-п переходом, применяют биполярные транзисторы с диэлектрической изоляцией. Основные отличия структуры такого транзистора, представленной на рис. 3.4, от рассмотренной выше ( см. рис. 3.1) состоят в том, что транзистор размещают в кармане, изолированном со всех сторон от подложки из поликристаллического кремния тонким диэлектрическим слоем диоксида кремния. Качество такой изоляции значительно выше, так как токи утечки диэлектрика на много порядков меньше, чем р-п перехода при обратном напряжении; Удельная емкость диэлектрической изоляции меньше, поскольку диэлектрическая проницаемость диоксида кремния приблизительно в 3 раза ниже, чем кремния, а толщина диэлектрического слоя может быть выбрана больше толщины изолирующего р-п перехода. [46]
В зависимости от способов изоляции отдельных элементов полупроводниковые ИМС подразделяются на микросхемы с диэлектрической изоляцией и микросхемы с изоляцией обратно включенными р-п переходами. [47]
 |
Сечение кристалла ОУ, изготовленного на эпитаксиальной структуре. [48] |
При изготовлении быстродействующих ОУ широко используется технология создания высокочастотных комплементарных биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией компонентов. В этом случае улучшение частотных свойств - и-р-транзисторов достигается применением структуры, характерной для п-р - п транзисторов ( рис. 1.3), что приводит к появлению дополнительных операций при создании примесных слоев транзистора, в том числе и коллекторного р-слоя. [49]
На рис. 5.11 показана схема операционного усилителя цА744, выполненного по совмещенной технологии с диэлектрической изоляцией. [50]
В тех случаях, когда наличие емкости и токов утечки изолирующего р - - перехода недопустимо, можно применить диэлектрическую изоляцию островков полупроводника с помощью двуокиси кремния, стекла или керамической массы. [51]
Добротность - величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь диффузионных конденсаторов, обычно значительно ниже добротности дискретных конденсаторов с диэлектрической изоляцией. Однако стоимость формирования диффузионных конденсаторов мала, так как они создаются в едином технологическом процессе с другими элементами интегральной микросхемы. Поэтому диффузионные конденсаторы широко используют в интегральных микросхемах, когда можно мириться с низкой добротностью. [52]
 |
Сечение диф. [53] |
Добротность - величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь диффузионных конденсаторов, обычно значительно ниже добротности дискретных конденсаторов с диэлектрической изоляцией. [54]
Добротность - величина, обратная тангенсу угла диэлектрических потерь диффузионных конденсаторов, обычно значительно ниже добротности дискретных конденсаторов с диэлектрической изоляцией. Однако стоимость формирования диффузионных конденсаторов мала, так как они создаются в едином технологическом процессе с другими элементами интегральной микросхемы. Поэтому диффузионные конденсаторы широко используют в интегральных микросхемах, когда можно мириться с низкой добротностью. [55]
 |
Последовательность форми схемы, изготовляемой по планарно. [56] |
В связи с этим различают планарно-эпитаксиальную технологию ( с изоляцией элементов р - / г-переходами) и EPIC технологию с диэлектрической изоляцией. [57]
Монолитные полупроводниковые ИС по способу изоляции элементов друг от друга можно разделить на схемы с изолирующими р-п-пе-реходами и схемы с диэлектрической изоляцией. В схемах первого вида элементы отделены друг от друга р - n - переходами, к которым приложено обратное напряжение. В схемах второго вида элементы друг от друга и остальных элементов отделены слоями диэлектрика. Для сокращения числа изолирующих слоев часто выделяют группу элементов, взаимная изоляция которых играет маловажную роль. Внутри группы эти элементы отделены друг от друга обратносмещенными р-л-пере-ходами. Вся группа в целом изолирована от остальной части слоем диэлектрика. [58]
 |
Пленарный п-р-я-транзистор. [59] |
На рис. 4.10 показана структура планарного п - р - п-транзистора который может быть выполнен как с изолирующими р - га-переходами, так и с диэлектрической изоляцией. Технология изготовления интегральных схем, в том числе входящих в их состав транзисторов, подробно описана в специальной литературе. Кратко одна из возможных технологий состоит в следующем. На поверхность сильнолегированного п-кремния наносится эпитаксиальный слой слаболегированного га-кремния. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5