Cтраница 4
Кристаллизацию регистрировали по спаду напряжения и рассматривали эти результаты совместно с дилатометрическими данными, полученными при отсутствии растяжения. На рис. 6.58 представлены зависимости времени полукристаллизации лт степени растяжения для траис-1 4-поли - 2-хлорбутадиена, полученные на основании данных по релаксации напряжения и дилатометрических данных. Увеличение степени растяжения уменьшает время полукристаллизации на несколько порядков. Подобным же образом ведут себя и другие исследованные образцы; в общем увеличение скорости кристаллизации может быть в первом приближении объяснено соответствующим увеличением температуры плавления ( гл. На рис. 6.59 показаны изотермы кристаллизации эдмс-1 4-поли - 2-метилбутадиена при различных деформациях. Изотермы кристаллизации для степени растяжения ос 1 были получены дилатометрическим методом, остальные - методом релаксации напряжения. И в этом случае очевидно увеличение суммарной скорости кристаллизации с увеличением степени растяжения. Обработка этих изотерм в терминах уравнения Аврами приводит к значениям показателя п, представленным в табл. 6.13. Для наиболее высоких степеней растяжения показатель Аврами резко уменьшается и стремится к единице. [46]
На ликвацию легирующих элементов и примесей оказывает влияние кристаллизация металла шва. Повышение дисперсности структуры способствует рассредоточению примесей и снижению их концентраций в межосных участках. Увеличение скорости сварки и скорости кристаллизации повышает химическую неоднородность. Это связано со снижением отвода примесей в глубь сварочной ванны. Кроме этого, увеличение скорости сварки приводит к изменению изотерм кристаллизации и направленности кристаллитов. При высоких скоростях сварки и неблагоприятной форме разделки смыкание фронтов кристаллизации происходит при малых углах. [47]
Кристаллизацию регистрировали по спаду напряжения и рассматривали эти результаты совместно с дилатометрическими данными, полученными при отсутствии растяжения. На рис. 6.58 представлены зависимости времени полукристаллизации лт степени растяжения для траис-1 4-поли - 2-хлорбутадиена, полученные на основании данных по релаксации напряжения и дилатометрических данных. Увеличение степени растяжения уменьшает время полукристаллизации на несколько порядков. Подобным же образом ведут себя и другие исследованные образцы; в общем увеличение скорости кристаллизации может быть в первом приближении объяснено соответствующим увеличением температуры плавления ( гл. На рис. 6.59 показаны изотермы кристаллизации эдмс-1 4-поли - 2-метилбутадиена при различных деформациях. Изотермы кристаллизации для степени растяжения ос 1 были получены дилатометрическим методом, остальные - методом релаксации напряжения. И в этом случае очевидно увеличение суммарной скорости кристаллизации с увеличением степени растяжения. Обработка этих изотерм в терминах уравнения Аврами приводит к значениям показателя п, представленным в табл. 6.13. Для наиболее высоких степеней растяжения показатель Аврами резко уменьшается и стремится к единице. [48]
При более низких температурах кристаллизации значение п несколько увеличивается и достигает 1 2 при 20 С. Низкие значения показателя п подтверждаются непосредственными микроскопическими измерениями скорости роста кристаллов. Эти измерения показали, что диаметр одиночных ламелей пропорционален tl /, а не г. Однако рассмотрение морфологии кристаллов ( см. рис. 3.20 и 3.45) показывает, что обычный диффузионный контроль роста кристаллов, при котором могла бы соблюдаться пропорциональность их размеров от f ( разд. Ковакс и др. [222] предположили, что причина появления квадратного корня в выражении для скорости линейного роста кристаллов заключается в выталкивании из кристаллов молекул сополиме ра с особенно длинными полистирольными блоками ( разд. Небольшое увеличение значения показателя п при уменьшении температуры может быть связано с медленным увеличением числа спиральных образований в образцах. Изотермы кристаллизации после нагревания образцов до 50 С ( термическое зародышеобразование) были значительно более сложными. Обычное уравнение Аврами ( 33) применимо только в очень узком интервале превращения ( 0 4 vc 0 8) с показателем п, изменяющимся от 2 при 28 С до 6 при 20 - 21 С и вновь затем уменьшающимся при более низких температурах. Процессы зародышеобразозания и отталкивания макромолекул от поверх ности кристалла, а также морфология кристаллов слишком сложны для классификации и подробного рассмотрения. [49]