Участок - отрицательное сопротивление
Cтраница 1
Участок отрицательного сопротивления почти незаметен, так как имеют место очень малые хвосты кривой энергетического спектра. [1]
 |
Кусочно-линейная вольтамперная характеристика для расчета времени переключения. [2] |
Участок отрицательного сопротивления действует при этом как усилитель, и переключение происходит довольно быстро. Расчет скорости переключения требует решения нелинейных ур-ний (12.38) и (12.39), которое может быть получено лишь графически или численно. [3]
 |
Зависимость плотности тока от напряженности электрического поля.| Схема диода Ганна. [4] |
Наличие участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике полупроводника при определенных условиях приводит к неустойчивости протекания тока через полупроводник. [5]
О, Участок отрицательного сопротивления отсутствует. [6]
Для возникновения участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике диода необходим сверхлинейный рост проводимости базы с увеличением тока ( % ]) Это возможно, если одновременно с увеличением инжекции растут параметры, определяющие распределение инжектированных носителей в базе ( подвижность, время жизни) или растет коэффициент инжекции р-л-перехода. [7]
При наличии участка отрицательного сопротивления процесс протекает следующим образом. [8]
 |
Движение домена сильного поля вдоль образца GaAs. [9] |
При наличии участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике однородного образца распределение поля неустойчиво. [10]
Обе характеристики имеют участок отрицательного сопротивления. Так как это характерно для рассматриваемых элементов, то одного экземпляра достаточно для того, чтобы образовать биста-бильную ячейку. [11]
Ветвь PQ представляет собой участок отрицательного сопротивления. Напомним, что образование такого участка связано с наличием положительной обратной связи в четырехслойной р-п-р-п - структуре. Действительно, здесь ток базы транзистора Т2 является током коллектора Тг, а ток коллектора 7 - током базы Tz. Как только коэффициенты передачи токов базы рх и 32 транзисторов 7 и Т2 увеличатся настолько, что выполнится условие k PiP2 1, начинается регенеративный процесс роста токов. Это сопровождается соответствующим увеличением тока тиристора, которое имеет место и при уменьшении до некоторого предела напряжения на его аноде. [12]
Наличие падающего участка ( участка отрицательного сопротивления) вольтампернои характеристики свидетельствовало о том, что этот прибор может быть использован для усиления и генерирования колебаний и в качестве прибора с двумя устойчивыми состояниями. Общий вид прямой ветви вольтампернои характеристики германиевого туннельного диода приведен на рис. V.10. Можно заметить, что при использовании падающего участка вольт-амперной характеристики вся область рабочих напряжений не будет превышать 0 5 в. Таким образом, туннельный диод представляет собой прибор, работающий при очень малых значениях напряжения источников питания. [13]
 |
Схема бесконтактного реле. [14] |
Ее особенностью является наличие участка отрицательного сопротивления А В, в пределах которого рабочая точка занимает неустойчивое положение, что и обусловливает переключательные свойства прибора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5