Участок - отрицательное сопротивление
Cтраница 4
Таким образом, у транзисторов с малым гб будет большое UK3K и большая длина участка отрицательного сопротивления. [46]
В первом случае вольтамперная характеристика имеет две точки перегиба ( соответственно двум условиям) и участок отрицательного сопротивления; во втором - одну и не имеет участка с отрицательным сопротивлением. [47]
 |
Образование вольт-амперной характеристики S-типа при шунтировании р - re - перехода сопротивлением ( а или - контактом ( б. [48] |
Очевидно, соответствующие изменения этих величин в зависимости от температуры могут также приводить к образованию участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике диода. [49]
 |
Соединение туннельных диодов.| Диаграмма, иллюстрирующая различные режимы работы ТД с последовательным сопротивлением. [50] |
При последовательном включении ( рис. 11 - 76, а) вольт-амперная характеристика имеет два участка отрицательного сопротивления. [51]
Второй вид усилительного элемента - туннельный диод - работает при прямом смещении, при этом используется участок отрицательного сопротивления характеристики прямого тока. [52]
Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с тремя или более p - n - переходами, вольт-амперная характеристика которого имеет участок отрицательного сопротивления, называют тиристором. При включении такого прибора в цепь переменного тока он открывается, пропуская ток в нагрузку лишь тогда, когда мгновенное значение напряжения достигает определенного уровня, либо при подаче отпирающего напряжения на специальный управляющий электрод. [53]
В процессе изменения вносимого напряжения Uy, оно достигает такой величины, что рабочая точка попадает на участок отрицательного сопротивления. Только при этом происходит очередное переключение. [54]
Условие аг а21 соответствует точке перегиба вольт-амперной характеристики / J-л-р - д-структуры с последующим образованием на характеристике участка отрицательного сопротивления, обусловливающего переключающие свойства р-п-р-п - структуры. [55]
При токе / с / сс вспомогательной структуры, но меньше / Gc основ ной области прибора один участок отрицательного сопротивления пропадает ( кривая 2), а ступенчатость включения сохраняется. При больших токах ( / о / ае основной структуры) ВАХ ( кривая 3) не имеет участка отрицательного сопротивления. [56]
После прохождения i точки, в которой du / di - Q, на вольтамперной характеристи-I ке появляется участок отрицательного сопротивления. Благодаря увеличению тока через структуру возрастают: значения коэффициентов усиления по току составляющих: транзисторов, роль тока утечки центрального перехода: уменьшается и напряжение на структуре понижается. [57]
Если в диоде Ганна выполняется условие (6.14), то при его включении сразу возникают колебания тока и экспериментально наблюдать участок отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике ( рис. 6.8) невозможно. [58]
 |
Начальный участок характеристики обращенной р-п-р-п структуры с ОУЭ. [59] |
Начальный участок характеристики структуры при различных токах 1а показан на рис. 11.19. Для / 074 мА на характеристике обнаруживаются два участка отрицательного сопротивления. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5