Cтраница 2
Предполагается, что появление дополнительного участка отрицательного сопротивления связано с изменением величины и характера зависимости от тока, протекающего через прибор, коэффициента передачи по току Й2162 п-р - п триодной составляющей тиристора. [16]
При 2а - 1 формируется участок отрицательного сопротивления на S-образной ВАХ. [17]
В таком включении прибор имеет участок отрицательного сопротивления между двумя участками положительного сопротивления. [18]
Особенностью туннельного пробоя является отсутствие участка отрицательного сопротивления на вольт-амперной характеристике. [19]
Модуляционный транзистор имеет в вольт-амперной характеристике участок отрицательного сопротивления. Напряжение срыва может управляться величиной шунтирующего сопротивления. При малых токах сопротивление р - / г-перехода велико и весь ток протекает помимо него через дополнительный контакт к сильнолегированной области. Инжекции нет и сопротивление базовой области велико. [20]
Таким образом, в этом приборе участок отрицательного сопротивления так же, как и в случае туннельного диода, заключен между двумя полубесконечными участками положительного сопротивления. Однако в отличие от туннельного диода, здесь стабильная работа на участке с отрицательным сопротивлением возможна только при достаточно большом сопротивлении нагрузки. Можно сказать, что подобный прибор устойчив в области холостого хода, в то время как туннельный диод устойчив в области короткого замыкания. Вольтамперная характеристика способна обеспечить работу с двумя и одним устойчивыми состояниями, а также без устойчивых состояний в различных условиях переключения. Поскольку эта характеристика не имеет отношения к туннельному эффекту, собственный частотный предел здесь должен быть ниже, чем для туннельных диодов. Рабочий интервал температур также соответственно более узок. [21]
![]() |
Осциллограмма ( V - / характеристик, соответствующих различным но амплитуде напряжениям при 1000 Гц ( у10 мА - см-1. - 1 В-см -. Пунктирной ливней обозначена статическая характеристика. [22] |
Если, находясь в какой-либо точке участка отрицательного сопротивления ( например, точки В, С, Е, на рис. 37), снять напряжение до 0 за время - 0 1 мс, то при увеличении напряжения характеристика будет иной, с большим импедансом. [23]
Для перемещения рабочей точки нелинейного элемента на участок отрицательного сопротивления используют источники постоянных напряжений или токов. [24]
Для / о78 мА на характеристике обнаруживается только один участок отрицательного сопротивления, обусловленный включением основной структуры. Этот уча сток имеет место при любых токах управляющего электрода. [25]
![]() |
Элементы на переключателях тока. а - ИЛИ. б - И.| Пороговая схема на туннельном диоде.| Усовершенствованная пороговая схема / на туннельном диоде. [26] |
Туннельный диод представляет собой двухполюсник, характеристика которого имеет участок отрицательного сопротивления. В зависимости от схемы включения он может выполнять те или иные логические функции, включая инвертирование и усиление. [27]
Автогенераторы релаксационных колебаний могут выполняться на элементах, имеющих участок отрицательного сопротивления или проводимости. Участок отрицательного сопротивления может быть на динамической либо статической вольтамперной характеристике. [28]
![]() |
Медно-закисный вентиль. [29] |
С - ток управления спрямления, при котором исчезает участок отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике. [30]