Участок - отрицательное сопротивление
Cтраница 3
 |
Вольтамперная характеристика тиристора. [31] |
Тиристор представляет собой полупроводниковый прибор с р-п-р-п структурой, имеющий участок отрицательного сопротивления между состояниями высокой и низкой проводимости. [32]
 |
Структура диода Ганна.| Вольт-амперная характеристика диода Ганна. [33] |
В действительности статическая вольт-амперная характеристика диода Ганна не имеет участка отрицательного сопротивления. Оно возникает только в динамическом режиме. [34]
Таким образом, участок / / входной характеристики представляет собой участок отрицательного сопротивления. [35]
 |
Форма импульсов тока в диоде Гання.| Зависимость скорости элек. [36] |
Поскольку плотность тока J qnv, то и вольтамперная характеристика имеет участок дифференциального отрицательного сопротивления. [37]
Условие ( ai 02) 1 соответствует точке перегиба вольт-амперной характеристики участка отрицательного сопротивления. [38]
Тиристоры типов ТС и ВКДУС - симметричные ( симисторы), имеют участок отрицательного сопротивления как на прямой, так и на обратной ветви вольтамперной характеристики, что позволяет осуществлять переключение в прямом и обратном направлениях. Тиристоры ТС применяют для фазового регулирования мощности переменного тока и работы в бесконтактной коммутационной и регулирующей аппаратуре. [39]
 |
Зависимость коэффициентов усиления составляющих транзисторов от тока.| ВЛХ диннстора. [40] |
Процесс возникновения отрицательного сопротивления в тиристоре аналогичен тому, который вызывает появление участка отрицательного сопротивления на ВАХ диода при тепловом пробое. Отличие состоит только в том, что при тепловом пробое обратный ток экспоненциально увеличивается за счет нагрева, а в тиристоре экспоненциальное увеличение тока, протекающего через переход Яг, происходит под влиянием положительной обратной связи в структуре, обеспечиваемой усилением составляющих транзисторов. ВАХ на участке отрицательного сопротивления должна сниматься с помощью генератора постоянного тока с достаточно большим внутренним сопротивлением. [41]
Теперь можно найти основные параметры вольтамперной характеристики туннельного диода для случая, когда участок отрицательного сопротивления определяется плотностью состояний. [42]
ВГ), В действительности, статическая вольт-амперная характеристика диода Ганна не имеет участка отрицательного сопротивления. [43]
 |
Четырехслойные р-п-р-п диод ( а и триод ( в вместе с их вольтам-перными характеристиками ( б, г на клеммах сигнала.| Модель четырехслойного р-п-р-п прибора. [44] |
КБ, картина становится такой, как показано на рис. 13.9. В результате появляется участок отрицательного сопротивления. В формировании этого участка оказывается важной роль К. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5