Волновые ф-ции - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Неудача - это разновидность удачи, которая не знает промаха. Законы Мерфи (еще...)

Волновые ф-ции

Cтраница 4


Задачу о сдвиге уровней решают в рамках стационарной В. Стационарные волновые ф-ции ф и отвечающие им энергии Е4 возмущенной системы выражаются в первом порядке В.  [46]

Для симметричного потенциала все собств. О таких волновых ф-циях говорят, что они обладают определ. Волновые ф-ции состояний с различной энергией взаимно ортогональны.  [47]

Однако при конденсации магнитно-активных атомов ( ионов) в кристалл их электронные оболочки часто претерпевают такую деформацию, что кристалл уже не обладает в своих узлах постоянными магнитными моментами. Наибольшей перестройке при конденсации подвергается самый наружный ( валентный) слой электронной оболочки. Это обусловлено тем, что волновые ф-ции валентных электронов у соседних атомов в кристалле сильно перекрываются, благодаря чему бывшие валентные электроны испытывают коллективизацию. В случае металлов они при этом образуют Ферми газ ( жидкость) электроном проводимости, а в пеметаллич. Если атомы, из к-рых построен кристалл, не относятся к переходным элементам, то решетка ионных остовов в соответствии с Паули принципом имеет замкнутый характер и обладает диамагнитными свойствами. Зх-слоп оболочки ионных остовов п электроны проводимости, подмагпичеппые благодаря обменному - d взаимодействию с ( / - или / - слоями атомной оболочки, участвующи-ми в намагниченности ферромагнетика.  [48]

Большие успехи достигнуты при исследовании электронных свойств металлов. Наиб, интерес представляет расчет энергетич. В простейшем варианте этого метода волновые ф-ции электронов заполненных зон принимаются равными волновым ф-циям свободных ионов, а волновые ф-ции электронов в зоне проводимости выбираются в виде линейной комбинации плоских волн и волновых ф-ций заполненных оболочек так, чтобы эти комбинации были ортогональны к волновым ф-циям заполненных оболочек. В результате задача сводится к ур-ниго типа ур-ния Шредингера, в к-ром, однако, вместо потенциала стоит линейная комбинация обычного самосогласованного потенциала и нек-рого связанного с упомянутой ортогонализацией выражения, зависящего от энергии состояния и волновых ф-ций электронов в ионах.  [49]

Такая характеристика уровней возможна для системы частиц, между к-рыми действуют эл. Если уровень энергии вырожден так, что ему принадлежат волновые ф-ции с разной четностью ( как, напр.  [50]

51 Спектр испускания - квантов с. 14 4 эВ ядер 7Fe, образующихся при распаде Со, внедренного в Pd ( концентрация - 10 - %, при Т 0 025 К в поле Н 500 Э, параллельном направлению v-квантов. [51]

При сближении атомов и образовании кристаллов металлов и сплавов волновые ф-ции валентных электронов перекрываются.  [52]

В методе слабой связи в качестве нулевого приближения берутся волновые ф-ции свободного электрона ( плоские волны), а пери-одич.  [53]

Большие успехи достигнуты при исследовании электронных свойств металлов. Наиб, интерес представляет расчет энергетич. В простейшем варианте этого метода волновые ф-ции электронов заполненных зон принимаются равными волновым ф-циям свободных ионов, а волновые ф-ции электронов в зоне проводимости выбираются в виде линейной комбинации плоских волн и волновых ф-ций заполненных оболочек так, чтобы эти комбинации были ортогональны к волновым ф-циям заполненных оболочек. В результате задача сводится к ур-ниго типа ур-ния Шредингера, в к-ром, однако, вместо потенциала стоит линейная комбинация обычного самосогласованного потенциала и нек-рого связанного с упомянутой ортогонализацией выражения, зависящего от энергии состояния и волновых ф-ций электронов в ионах.  [54]

Для каждой из ядерных конфигураций рассчитываются молекулярные интегралы, позволяющие использовать к. Как правило, для этого используют валентных связей метод или конфигурационного взаимодействия метод, однако разрабатываются и др. подходы. Полученные многоэлектронные волновые ф-ции позволяют рассчитать св-ва молекул, напр, дипольный или квадру-полъный момент, поляризуемость, матричные элементы операторов, отвечающие электронным квантовым переходам.  [55]

Источником этих полей ( достигающих 10е э) является контактное фер-миевское взаимодействие между магнитными моментами ядер и электронов ( взаимодействие СТС - сверхтонкой структуры), величина к-рого определяется значением амплитуды волновой ф-ции г э электрона на ядре. Контактное взаимодействие СТС может поэтому осуществляться лишь s - электро-нами, волновые ф-ции к-рых имеют максимум на ядрах. Наличие огромных полей Не указывает на то, что как внутренние s - слои ионных остовов в кристаллах ( Is, 2s, 3s), так и электроны проводимости ( 4s) испытывают существенный эффект подмагничивания благодаря О.  [56]



Страницы:      1    2    3    4