Cтраница 1
Электронная волна в данном случае превращается в стоячую волну. [1]
Подобно электронным волнам в решетке, квантуются и колебания самой решетки. Эти колебания рассматриваются как квазичастицы - фоно-ны. Квант энергии, соответствующий каждому фонону, равен йо, как и для любой другой квантованной частицы. Однако в отличие от электронов фоно-ны подчиняются статистике Бозе - Эйнштейна. [2]
Подобно электронным волнам в решетке, квантуются и колебания самой решетки. Эти колебания рассматриваются как квазичастицы - фоно-ны. Однако в отличие от электронов фоно-ны подчиняются статистике Бозе - Эйнштейна. [3]
Каждая стоячая электронная волна, разрешаемая квантовой механикой и описываемая функцией т 5 1 /) ( Я, характеризует понятие электронной орбитали. [4]
Диффракция электронных волн де Бройля аналогична диффрак-ции световых - волн. [5]
Амплитуда электронной волны % называемая также волновой функцией, зависит от пространственных координат и ( в общем случае) от времени. [6]
Отражение электронных волн от плоскости ( ftifei / i) возможно, если последняя наклонена к лучу под углом 0ь удовлетворяющим условию Вульфа - Брегга, а нормаль N составляет с лучом угол 90 - GJ. [7]
Наличие электронных волн позволяет конструировать электронно-оптические приборы типа электронного микроскопа. Электронные лучи обладают рядом преимуществ по сравнению с рентгеновскими. Они могут быть гораздо интенсивнее, что при прочих равных условиях резко сокращает время экспо-лщип. Наконец, электронные пучки управляются посредством комбинации электрических и магнитных линз, чего не удается сделать с рентгеновскими лучами. Кроме того, разрешающая способность электронных устройств, связанная с длиной электронных волн, значительно больше, чем у оптических приборов. Возможные разрешающие способности электронных приборов далеко еще иг достигнуты в технике. [8]
Наличие электронных волн позволяет строить электронно-оптические приборы типа электронного микроскопа. Электронные лучи обладают рядом преимуществ по сравнению с рентгеновскими. Они могут быть гораздо интенсивнее, что при прочих равных условиях резко сокращает время экспозиции. Наконец, возможно управлять электронными пучками посредством комбинации электрических и магнитных линз, чего не удается сделать с рентгеновскими лучами. Кроме того, разрешающая способность электронных устройств, связанная с длиной электронных волн, может быть гораздо большей, чем у оптических приборов. Теоретически возможные разрешающие способности электронных приборов далеко еще не достигнуты. [9]
Длина электронных волн лежит примерно в границах ( 0 25 - 0 5) 10 - 2 нм, благодаря чему удается уменьшить разрешаемое расстояние примерно в 1000 раз. [10]
Длина электронной волны мала по сравнению с длиной волны для нормальных рентгеновских лучей, которая составляет около 1 А. Это означает, что если для данного вещества, например газа, вместо рентгеновских лучей применять поток электронов выше рассмотренным способом, то получаются диффракционные кольца с гораздо меньшими расстояниями между ними. При измерениях с помощью рентгеновских лучей теоретически можно было бы получать более точные результаты, однако по крайней мере два фактора устраняют в данном случае их кажущееся преимущество. [11]
Рассеяние электронных волн происходит только из-за нарушений правильности решетки, например, тепловыми флюктуация-ми атомов или примесями. Сильное селективное рассеяние будет только в том случае, когда соседние атомные плоскости создают синфазные отраженные волны, в результате чего образуется стоячая волна. [12]
Рассеяние электронных волн может происходить не только на резких неоднородностях электрического поля, вызванных флуктуациями теплового движения ионов, но и на еще более резких искажениях поля, создаваемых посторонними ионами примеси. Если число таких ионов велико, как это имеет место в сплавах, представляющих собой твердые растворы, то подвижность электронов и электропроводность уменьшаются. Как правило, сплавы металлов обладают большим удельным сопротивлением и меньшим температурным его коэффициентом, чем чистые металлы. [13]
Рассеяние электронных волн имеет в полупроводниках такое же происхождение, как и в металлах. [14]
Рассеяние электронных волн, а следовательно величина подвижности и и ее зависимость от температуры в этих случаях количественно отличны от рассеяния электронов в металлах. [15]