Электронная волна
Cтраница 3
Малые длины электронных волн обусловливают, как будет показано далее, особенности картин, получаемых при дифракции электронов. [31]
При распространении электронной волны ( движении электрона) в кристалле, она испытывает отражение не только от стенок потенциальных ям атомов, но и от границ кристаллов. [32]
 |
Атомные амплитуды рассеяния электронов / э ( 6 для Al, Cu, Ag и Аи.| Дифракционная картина, полученная при прохождении. [33] |
Эффекты интерференции электронных волн в кристалле проявляются не только в виде образования характерных дифракц. Анализ зависимости вероятности по упругих процессов от ориентации падающего па кристалл пучка электронов лежит в основе спектроскопии характеристических потерь энергии электронов, спектроскопии рентгеновского излучения. [34]
Наибольшее рассеяние электронных волн происходит на таких продольных колебаниях решетки, при которых заряды движутся навстречу друг другу, вызывая в одних участках сближение, в других разрежение зарядов. Такого рода продольные поляризационные колебания дают наиболее значительные местные искажения электрического поля, вызывающие рассеяние электронных волн. [35]
Наибольшее рассеяние электронных волн происходит на таких продольных колебаниях решетки, при которых заряды движутся навстречу друг другу, вызывая в одних участках сближение, в других разрежение зарядов. Такого рода продольные поляризационные колебания дают наиболее значительные местные искажения электрического поля, вызывающие рассеяние электронных волн. [36]
Акт рассеяния электронных волн на волнах теплового движения можно описать как столкновение электрона с фоно-ном и обмен квазиимпульсом и энергией между ними. [37]
 |
Возможные значе - и тогда энергия электрона ния длины электронной вол - 2 д2. [38] |
Пока длина электронной волны остается постоянной, энергия электрона не изменяется, а следовательно, он не испускает энергию. [39]
Если известно состояние электронной волны в точке Р, то искажение ее формы при распространении в точку Q всецело определяется распределением электромагнитного поля в окрестности Р, Q. Если электромагнитное поле неизвестно, то об электронной волне в точке Q, находящейся в том же, как ив / 5, состоянии, мы ничего сказать не можем. [40]
В кристалле рассеяние электронных волн обусловливается, как для света в мутной среде, неоднородностями двух типов: нарушениями однородной структуры кристалла примесями ( равно как и дефектами) и флук-гуационными неоднородностями, возникающими при тепловых колебаниях атомов решетки. Установленное выше различие в длинах волн электрона позволяет понять, в чем состоит различие между условиями рассеяния электронов в металлах и в полупроводниках ( равно как и в изоляторах) я почему в некоторых случаях длина свободного пробега электрона в последних может быть больше, чем в первых. Дело, как мы видим, заключается в том, что благодаря большой длине волны электрона в полупроводниковом и изолирующем кристаллах неоднородности атомных размеров не вызывают в них заметного рассеяния электронов, в то время как в металлическом кристалле, где длина волны электрона на порядок меньше, такие неоднородности вызывают значительное рассеяние, снижающее подвижность электронов. [41]
К расчету параметров электронных волн в потоках, помещенных внутри экрана с идеально проводящими стенками. [42]
 |
Распределение продольного электрического поля замедленной волны J. z, конвекционного тока / и его основной гармоники 7 при усилении сигнала в ЛБВ типа О. ж - центр сгущения электронов. [43] |
Фазовая скорость нарастающей электронной волны уфэ отличается от скорости замедленной эл. Уф и во всей зоне усиления оказывается меньше скорости электронов vf это обеспечивает правильную фазовую группировку образующихся сгустков электронов в тормозящей фазе поля и передачу энергии от электронного потока полю. [44]
Геометрические условия отражения звуковых и электронных волн совпадают также с законами отражения рентгеновых лучей. [45]
Страницы: 1 2 3 4