Фо-нона

Cтраница 1

Фо-ноны, которые имеют импульс, близкий к р0 / гй0, имеют специальное название - их называют ротонами. Состояние фонона характеризуется настоящим импульсом, а не квазиимпульсом. Поэтому ареал существования квазичастиц в нем - однородное, изотропное пространство, правда, непустое. [1]

Высокочастотные фо-ноны с наименьшей энергией, которые могут участвовать в U-процессах с этими тепловыми фононами, должны быть также направлены вдоль той же оси. [2]

Подвижность электронов [ IMAGE ] Подвижность электронов и дырок в твердых растворах РЬТе - и дырок в твердых растворах PbSe. Bi2Te3 - Sb2Te3. [3]

Естественно ожидать, что фо-ноны будут в большей степени рассеиваться чужеродными ( нейтральными) атомами, чем электроны, так как их длины волн при комнатной температуре могут быть в 10 раз меньше, чем у электронов. [4]

Следовательно, при рассеянии электрона на оптических фо-нонах согласно формуле (6.51) энергия электрона также изменяется квантованно. [5]

Зависимость частоты фонона от [ IMAGE ] Зависимость частоты эле-импульса для направления в кри - ментарных возбуждений от импульса. [6]

Индексы Т и L соответствуют поперечному и продольному акустическим фо-нонам. [7]

Происходит, как говорят, рассеяние электрона на фо-нонах. При этом избыточный импульс электрона в направлении приложенной силы отдается решетке, и электрон снова должен ускоряться в том же направлении. Однако вектор импульса электрона 2) ftk все время должен соответствовать разрешенному состоянию электрона в решетке. Поэтому столкновение электрона с фононом может иметь место лишь в том случае, если конечное-значение волнового вектора k ( в силу сохранения импульса мы должны иметь k q k q) равно вектору k /, проведенному в направлении рассеяния. [8]

Происходит, как говорят, рассеяние электрона на фо-нонах. При этом избыточный импульс электрона в направлении приложенной силы отдается решетке, и электрон снова должен ускоряться в том же направлении. Однако вектор импульса электрона 2) Tik все время должен соответствовать разрешенному состоянию электрона в решетке. Поэтому столкновение электрона с фононом может иметь место лишь в том случае, если конечное значение волнового вектора k ( в силу сохранения импульса мы должны иметь k q k q) равно вектору k /, проведенному в направлении рассеяния. [9]

Линейная зависимость обратной величины времени пролета от напряжения U, полученная при измерении подвижности электронов в / 3 - Н2 Фт при 490 К [ 341.| Зависимости подвижностей электронов ( а и дырок ( б, измеренных в см2В - с 1, от температуры ( в К, полученные на одном и том же образце. Двойной логарифмический масштаб. [10]

Температурная зависимость такого вида характерна для рассеяния на акустических фо-нонах носителей, движущихся в зоне шириной больше kT ( см. табл. 2.16 в разд. [11]

Поскольку этот эффективный заряд связан с поглощением, индуцированным ТО фо-нонами, он называется поперечным эффективным зарядом или эффективным зарядом Борна. [12]

В геометрии рассеяния назад поляритоны, распространяющиеся направо, рассеиваются акустическими фо-нонами в поляритоны, двигающиеся налево. Стрелки на рис. 7.40 обозначают процессы рассеяния и нарисованы так, чтобы соблюдалось сохранение энергии и волнового вектора. Наклон стрелок определяется скоростью акустического фонона. В этом отношении они очень похожи на стрелки, изображенные на рис. 7.39 и представляющие рассеяние ls - экситона в Cii2O с испусканием LA фонона. Главное различие между экситонной и поляритоннои картиной заключается в наличии двух поляритонных ветвей с одинаковой энергией. В результате для каждой ветви акустического фонона поляритонное рассеяние может дать четыре бриллюэновских пика по сравнению с только одним пиком для экситонного рассеяния. Как и в случае с модой 2 / - - LA в Cii2O бриллю-эновские частоты при рассеянии поляритонов на акустических фононах меняются с частотой возбуждения. Это позволяет измерять дисперсионные кривые поляритонов. Используя перестраиваемый лазер на красителях, они возбуждали поляритоны в GaAs при низкой температуре и наблюдали усиленные бриллюэновские пики с помощью двойного монохроматора. [13]

Электрон, движущийся в металле, нарушает режим колебаний решетки - возбуждает фо-ноны. Энергия возбуждения передается другому электрону, который поглощает фонон. В результате такого обмена фононами возникает дополнительное взаимодействие между электронами, которое имеет характер притяжения. При низких температурах это притяжение у веществ, являющихся сверхпроводниками, превышает кулоновское отталкивание. [14]

Поскольку энергия нелинейных элементарных возбуждений должна быть большой по сравнению с энергией одной квазичастицы ( фо-нона, поляритона), изучение комбинационного рассеяния на нелинейных волнах, вероятно, потребовало бы использования достаточно мощных источников света. Но независимо от КРС на нелинейных волнах при высоких накачках в кристаллах может резко возрасти концентрация разного рода квазичастиц ( например, поляритонов), так что возникает, в частности, весьма интересный вопрос о возможности существования второго звука в системе поляритонов. Поскольку скорость второго звука в системе поляритонов должна быть порядка скорости света, наблюдение такого второго звука так же, как и наблюдение самих поляритонов, потребовало бы исследования КРС на малые углы. [15]

Страницы: 1 2 3 4