Фо-нона

Cтраница 2

К результату (66.13), (66.14) можно прийти и более наглядным путем, вспомнив, что длинноволновые акустические фо-ноны отвечают макроскопическим звуковым волнам, которые допускают рассмотрение с помощью макроскопической теории упругости. [16]

Результаты, полученные на чистом CdTe, можно удовлетворительно объяснить простой теорией, согласно которой тепло переносится фо-нонами, рассеивающимися границами кристалла, естественными изотопами и другими фоно-нами. [17]

К вопросу о взаимодействии электрона с излучением мы вернемся позднее, а теперь рассмотрим столкновения электронов с фо-нонами. [18]

В принципе сильное взаимодействие может существовать не Только между фононами и колебаниями протона, но и между фо-нонами и другими колебаниями фрагмента ( А - - И - - В), например симметричными продольными колебаниями А - - В. [19]

Что же касается области низких температур, где k T ЙоДО), большинство экситонов могут лишь поглощать оптические фо-ноны. [20]

Если импульс отдачи ( равный импульсу - кванта) превосходит значение ртл1, то он распределяется между несколькими фо-нонами, в число которых входят фононы всех импульсов, вплоть до предельного. [21]

В обычном, неспаренном состоянии электроны рассеиваются на примесях, вкрапленных в металл, или на тепловых колебаниях решетки - фо-нонах. Это приводит к хаотизации их движения и является причиной возникновения электрического сопротивления. Куперовские же пары, пока они не разорваны, рассеиваться на дефектах решетки не могут, так как вывод любой из них из строго коррелированного коллектива маловероятен. Отскакивание одного из членов пары в сторону при встрече с дефектом решетки компенсируется поведением его партнера. Компенсируется в том смысле, что суммарный импульс пары электронов остается неизменным. [22]

Идеальный кристалл с бесконечными размерами может иметь конечную теплопроводность только вследствие отклонений от гармоничности колебаний решетки; это приводит к взаимодействиям между фо-нонами, и U-процессы обусловливают тепловое сопротивление. В действительности конечные размеры кристалла приводят к резистивному рассеянию фононов на внешних границах кристалла. [23]

Пьезоэлектрическая постоянная rf33, диэлектрическая Проницаемость при постоянном токе ЕЗ и упругая постоянная с3з характеризуют в данном случае продольные акустические ( LA ] фо-ноны, распространяющиеся вдоль оси с. При значении деформационного потенциала порядка X - 10 эВ Kdp - 10 - 2 Гре, и, следовательно, пьезоэлектрическая связь является доминирующей. [24]

Сравнительное поведение зависимостей коэфф.| Типичное изменение коэфф. Т. - t. простого примесного полупроводника с увеличением коэфф. электропроводности а ( темп - pa Т принята постоянной, коэфф. Т. решетки л считается независящим от доли примесей и, следовательно, от з. [25]

В квантовой теории твердого тела показано, что тепловые колебания решетки можно представить как совокупность конечного числа нормальных колебании, при интерференции к-рых образуются волновые пакеты - фо-ноны. При таком описании решетка рассматривается как объем, заполненный газом фоно-нов, а к последнему применяется вывод простейшей кинетич. [26]

Если минимум экситонной зоны отвечает значению k00, то, как это следует из соотношений (5.22), (5.33) и (5.18), коэффициент диффузии, обусловленный рассеянием на акустических фо-нонах, в области низких температур перестает зависеть от температуры. [27]

Предположение, что теплопроводность решетки не зависит от концентрации Свободных носителей, является, вообще говоря, не вполне строгим; во-первых, изменение концентрации носителей ( при данной температуре) всегда требует введения примесей, а последние вызывают дополнительное рассеяние фононов и снижают теплопроводность решетки; во-вторых, фо-ноны рассеиваются непосредственно на свободных электронах и дырках, - по этой причине теплопроводность кристаллической решетки металлов ничтожно мала. [28]

В тех случаях, когда эффективные массы позитронов и электронов ( или дырок) не слишком отличаются друг от друга, подвижность позитронов дает верхнюю границу дрейфовой подвижности электронов по двум причинам: ( а) поскольку ловушки для электронов неэффективны в качестве ловушек для позитронов, подвижность характеризует только рассеяние на фо-нонах и ее характер не маскируется более эффективным действием примесей; ( б) эффективное поперечное сечение рассеяния позитронов всегда меньше, чем в случае электронов, вследствие того, что электроны могут образовать ридберговские состояния большого радиуса с молекулами кристалла-хозяина [254], в то время как позитроны таких состояний не образуют. [29]

Диаграмма энергия-импульс для. [30]

Страницы: 1 2 3 4