Формирование - рисунок
Cтраница 1
Формирование рисунка фотолитографическими методами основано на использовании полимерной пленки заданной конфигурации, нанесенной на поверхность металлических или изолирующих пленок, покрывающих всю поверхность подложки. Рисунок микросхемы наносится на маскирующее покрытие из полимерной пленки и повторяется в пленке металла или изолирующего слоя вытравливанием незащищенных участков. Маскирующее покрытие из полимерной пленки создается с помощью полимерных фото-чувстнительных материалов, называемых фоторезистами, молекулярная структура и растворимость которых изменяются при облучении фотонами. Для того, чтобы выделить те участки, на которых следует изменить растворимость фоторезиста, и чтобы оградить их от воздействия светового излучения, необходимо иметь диапозитив или фотошаблон с рисунком требуемой конфигурации. Этот процесс аналогичен процессу контактной печати, применяемому в фотографии, за исключением того, что вслед за проявлением рисунка в слое фоторезиста, следует травление рисунка в пленке, на которую нанесен фоторезист и удаление полимерного маскирующего покрытия. [1]
Формирование рисунка в слое резиста с помощью экспонирования электронным лучом может быть выполнено тремя различными путями. Рисунок может быть создан при фиксированном положении луча и перемещении подложки вместе с координатным столиком; подложка может оставаться в фиксированном положении, луч перемещается за счет его отклонения системой управления. В этом случае для проектирования рисунка используется электронный луч большого диаметра, который в течение операции одного экспонирования покрывает всю поверхность подложки или ее большую часть. [2]
Формирование рисунка, как и в фотолитографии, возможно при использовании прямой и обратной электронографии. При достаточной энергии пучка электронов может быть проведена гравировка осажденной пленки путем испарения лишних участков материала. [3]
Для формирования рисунка тонкопленочных элементов сравнительно часто используются методы осаждения материала через съемные металлические маски. По исходным фотошаблонам в масках, выполненных из тонкой фольги, делаются прорези, соответствующие требуемому рисунку. Маска прижимается к подложке, и поток осаждаемых частиц проходит на подложку только через прорези. [4]
 |
I. Упрощенная схема двукратного пересъема и мультипликации изображения на фотошаблоне. [5] |
Прогрессивным методом формирования рисунка технологических слоев является метод фотонабора, когда изображение формируется при помощи так называемых генераторов изображения или фотонаборных установок. Существуют также генераторы изображения сканирующего типа. [6]
 |
Процессы фотолитографии, используемые при производстве полупроводниковых ИС. [7] |
Электронно-лучевые методы формирования рисунка позволяют на порядок и более превзойти предельные возможности фотолитографии. [8]
Каждый метод формирования рисунка ИС характеризуется определенной производительностью и соответствующими затратами на оборудование и подготовку производства. Поэтому целесообразность применения того или иного метода должна оцениваться с учетом и этих факторов. [9]
По способу формирования рисунка символов шрифты делятся на растровые и векторные. [10]
Наконец, для формирования рисунка тонкопленочных микросхем перспективными представляются методы непосредственного воздействия на тонкопленочную структуру электронными, лазерными и ионными пучками, позволяющие вообще отказаться от маскирования с помощью шаблонов и резисторов. [11]
Сравнение рассмотренных методов формирования рисунка ИС с высокой степенью интеграции элементов является весьма непростой задачей вследствие большого числа параметров, значения которых определяются особенностями применения того или иного метода. В табл. 7.3 приведены данные, с помощью которых можно сравнивать различные методы литографии, используемые для формирования рисунка ИС. [12]
Применяют в литографии для формирования заданного рельефного рисунка на поверхности печатной формы и ее защиты от воздействия травителей. [13]
При использовании фотолитографических методов формирования рисунка микросхем линейная погрешность определяется другими параметрами и в гораздо большей степени зависит от выбранной схемы технологического процесса. [14]
На рис. 4 57 показан пример формирования рисунка на слое окисла, нанесенного на поверхность подложки. Этапы процесса 1 - 7 проводятся в особо чистом помещении, освещаемом желтой лампой, с целью устранения возможности загрязнений. Желтый свет исключает паразитную засветку резиста. На рис. 4.58 показаны характеристики чувствительности резистов. [15]
Страницы: 1 2 3 4