Cтраница 3
При формировании цветного фильтра на передней стеклянной подложке осуществляют операции подготовки и доводки стекла, общие как для передней, так и для задней пластины, в том числе обточку и полировку. Формирование рисунка, нанесение покрытия и термообработку выполняют на подложке неоднократно. Процесс очень схож с обработкой кремниевых пластин. Как правило, стеклянные подложки обрабатываются в системах для очистки и нанесения покрытий. [31]
Процесс формирования рисунка называется литографией. Установка для переноса рисунка шаблона на подложку называется установкой экспонирования. Разумеется, для установки, предназначенной для массового производства, большое значение имеет стоимость. Литография является наиболее важным процессом в технологии изготовления ИС, поскольку разрешающая способность и точность совмещения в процессе литографии определяют плотность размещения элементов в ИС. [32]
Применение этих методов для формирования рисунка пока ограничено в связи с тем, что недостаточно исследованы влияние излучения на микроструктуру пленки и подложки и возможность возникновения дефектов, обусловленных напряжениями и ударными волнами. [33]
Наиболее производительно и экономично формирование рисунка пленочных элементов с помощью накладного металлического трафарета. Методом фотолитографии в нем формируют отверстия с требуемым рисунком, через которые осуществляют сквозное травление бронзы. [34]
Одним из способов увеличения разрешающей способности рисунков и увеличения износостойкости фотошаблонов при контактной печати, является применение хромированных фотошаблонов [ см. разд. В этом направлении достигнуты большие успехи в формировании рисунка в слое фоторезиста с применением проекционных методов и голографии, не требующих применения фотошаблонов для контактной печати, но в этом случае необходимо вытравливать диапозитивы с рисунков увеличенного размера. Высокая разрешающая способность и устранение влияния дефектов в фотошаблоне достигается применением световых и электронно-лучевых методов создания рисунка. Эти методы отличаются дополнительным преимуществом - использованием при расчете и конструировании рисунка вычислительных машин, благодаря чему устраняются трудоемкие, продолжительные и дорогостоящие операции изготовления оригинала. [35]
В описываемом методе есть еще один недостаток, состоящий в том, что атомы распыляемого металла отскакивают от маски и вновь осаждаются на участках в междусеточном пространстве рисунка. Все эти методы требуют введения дополнительной операции металлизации в процессе формирования рисунка для изготовления маскирующего слоя. Если все эти дополнительные операции приемлемы, то всегда можно подобрать подходящий материал для создания маскирующего слоя с последующим химическим травлением. Этот процесс занимает довольно мало времени и экономически более выгоден [ см. например, травление пленок Si3N4, разд. ЗГ, 13) или тантала, разд. [36]
Ионная литография еще находится в стадии разработки. Однако уже сейчас видны ее существенные преимущества в сравнении с другими методами формирования рисунка ИС с субмикронными размерами элементов. [37]
Применяется в качестве детектора излучения в системах автоматич. Наиболее широко используются в микроэлектронике при создании ИС и др. устройств по методу планарной технологии для формирования заданного рельефного рисунка на поверхности ПП или диэлектрической основы перед легированием. [38]
Сюда входят: микрофотография, получение фоторезистов с высокой разрешающей способностью, высокоточное экспонирование, методы формирования рисунка и травление. Сюда же необходимо добавить все методы мультиплицирования изображений, разработанные для удовлетворения специфических требований микроэлектроники. [39]
Сравнение рассмотренных методов формирования рисунка ИС с высокой степенью интеграции элементов является весьма непростой задачей вследствие большого числа параметров, значения которых определяются особенностями применения того или иного метода. В табл. 7.3 приведены данные, с помощью которых можно сравнивать различные методы литографии, используемые для формирования рисунка ИС. [40]
При создании БИС все эти направления часто настолько тесно переплетены, что рассматриваемые здесь большие гибридные интегральные схемы ( БГИС) не могут быть изучены без пояснения некоторых аспектов полупроводниковой и толстопленочной технологий и конструктивно-технологических направлений БИС, связанных с чисто полупроводниковой технологией. При этом не останавливаясь на планарной технологии формирования полупроводниковых структур, методах изоляции элементов полупроводниковых структур, методах внедрения примесей и формирования рисунка, в данной главе будут рассмотрены проблемы изготовления многослойной коммутации на поверхности кристалла, методы и технология изготовления спецвыводов к полупроводниковым кристаллам, методы сборки и монтажа интегральных бескорпусных схем со спецвыводами. Все это в значительной мере помогает понять технологические возможности и преимущества больших гибридных интегральных схем. [41]
По мере совершенствования интегральных схем в направлении увеличения кристаллов и усложнения рисунков увеличиваются технологические потери, обусловленные наличием дефектов в рисунке. Большинство этих методов имеют дополнительные преимущества; более высокая разрешающая способность линий, устранение операции изготовления оригинала и возможность автоматизации процесса формирования рисунка. [42]
Темой четвертой главы является технология изготовления кремниевых ИС. В ней рассмотрены монокристаллы кремния как исходного материала для ИС, описаны базовые технологические процессы: окисление, легирование примесями, выращивание пленок, формирование рисунка фотошаблонов, перенос рисунка, травление, формирование межсоединений, затронуты вопросы моделирования технологических процессов. [43]
Из сказанного, однако, не следует делать вывод о том, что при использовании фотолитографической технологии абсолютная величина контактной погрешности больше, чем при масочной технологии. В каждом конкретном случае величина контактной погрешности определяется свойствами используемых материалов и режимами их обработки, а также зависит от разрешающей способности используемых методов формирования рисунка. [44]
Тем не менее, уже сейчас на первом этапе их разработки и внедрения целесообразно обратить на них внимание с точки зрения возможностей их использования при формировании рисунка тонкопленочных микросхем, так как наряду с высокой разрешающей способностью лучевые методы представляются перспективными для упрощения технологического процесса, внедрения комплексной автоматизации производства микросхем. [45]