Кремниевый фотодиод

Cтраница 1

Кремниевые фотодиоды являются хорошими фотоприемниками, однако для получения выходных сигналов требуемой амплитуды необходимо дополнять фотодиод усилителем. Повышать коэффициент усиления путем использования внешних по отношению к корпусу оптрона элементов неэффективно, так как увеличиваются габариты системы. [1]

Кривая относительной спектральной чувствительности германиевого фотодиода. [2]

Кремниевые фотодиоды и фототранзисторы имеют максимум чувствительности при длине волны порядка 0 9 мкм и границу чувствительности при 1 1 мкм. [3]

Кремниевые фотодиоды не вполне пригодны для более длинноволнового диапазона 1300 нм и 1550 нм. Фотодиод pin - типа на основе InGaAs имеет достаточно широкую область высокой чувствительности. Данный материал не образует ярко выраженный пик на кривой чувствительности, как кремний. В диапазоне от 900 до 1650 нм его чувствительность не опускается ниже 0.5 А / Вт, что позволяет использовать его как для длины волны 1300 нм, так и для 1550 нм. На рис. 9.4 представлены типичные кривые чувствительности для различных фотодиодов. [4]

Структурная схема фотопреобразователя ( а и его спектральная характеристика ( б. [5]

Кремниевые фотодиоды могут работать при изменении температуры окружающей среды в пределах от - 60 до 80 С. Кремниевые фотогенераторы применяются, в частности, для преобразования солнечной энергии в электрическую. [6]

Спектральные характеристики. [7]

Кремниевые фотодиоды имеют малый темновой ток ( при температуре 100 С темновой ток не превышает 3 мка), однако чувствительность их в 5 - 10 раз меньше по сравнению с германиевыми фотодиодами. [8]

Кремниевые фотодиоды могут хорошо работать без термостати-рования в большом диапазоне изменения окружающей температуры. [9]

Кремниевые фотодиоды являются хорошими фотоприемниками, однако для получения выходных сигналов требуемой амплитуды необходимо дополнять фотодиод усилителем. Повышать коэффициент усиления путем использования внешних по отношению к корпусу оптопары элементов неэффективно, так как увеличиваются габариты схемы. [10]

Обычно кремниевые фотодиоды применяют в комбинации с фильтрами. [11]

Спектральная и частотная характеристики германиевого фотодиода.| Эквивалентная электрическая схема фотодиода с р-п-переходом. [12]

Поверхностно-барьерные кремниевые фотодиоды могут работать в диапазоне 0 4 - 1 0 мк, имеют диаметр активной области 140 мк, R3KB 600 ом, М 1 и относительно просты в изготовлении. [13]

У кремниевых фотодиодов со структурой p - i - rt - типа высокий квантовый выход в широком диапазоне волн ( см. рис. 7.15), а чувствительность зависит от толщины ( - области. В видимой и ближней инфракрасной областях электромагнитного спектра, примерно до Я1 мкм, высокие значения параметров у кремниевых фотодиодов, а в области длин волн 0 8 - 1 5 мкм - у германиевых с p - n - переходом и лавинных со структурой p - i-гг-типа. [14]

Чувствительность кремниевых фотодиодов равна 3 мА / лм, германиевых - 20 мА / лм, сернисто-серебряных - 10 - 15 мА / лм. Фотодиоды обладают значительной инерционностью из-за конечного времени диффузии носителей заряда к p - n - переходу и прохождения их через область объемного заряда в p - n - переходе. Кроме того, на инерционность влияет также время зарядки емкости p - n - перехода. Частотные характеристики фотодиодов зависят от материалов, из которых они выполнены, а также от толщины и площади p - n - перехода. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5