Кремниевый фотодиод

Cтраница 3

Максимуму спектральной характеристики кремниевых фотодиодов соответствует длина волны 0 6 - 1 мкм, германиевых - около 1 5 мкм. [31]

Схема замещения фотодиода.| Семейство вольт-амперных характеристик фотодиода.| Относительная спектральная чувствительность г германиевых и кремниевых фотодиодов. [32]

Область спектральной чувствительности кремниевых фотодиодов находится между 0 6 и 1 мкм, а германиевых фотодиодов-между 0 5 и 1 7 мкм. [33]

Фототок / ( б для различных ламп и фотокатодов. Использовались дуговые лампы высокого давления и иодно-вольфрамо-вые лампы фирмы Осрам, Si-фотодиод типа SCD 444 фирмы ИГ унд Г, фотоумножитель 1Р28 типа RCA, монохроматор с высокой интенсивностью фирмы Вауш и Ломб. Для обеих решеток полуширина полосы излучения Д составляла 10 нм. [34]

Автор подчеркивает, что кремниевые фотодиоды SGD-444 ( фирма ИГ унд Г) не обладают достаточным быстродействием. Для быстрых измерений он предпочитает фотоэлементы 1Р28 типа RCA. [35]

Конструкции фотодиодов. а - ФД-2, б - ФД-3. [36]

Наряду с диффузионной технологией кремниевых фотодиодов стали применять Планерную технологию ( рис. 9.32 6), широко используемую при изготовлении других полупроводниковых приборов. Контакт к / 7-слою осуществлен напылением алюминия. К нему термокомпрессией подсоединен тонкий золотой электрод, соединяющийся с выводом фотодиода. Поверхность фотодиода защищена окисью кремния, являющейся также просветляющим слоем, повышающим чувствительность фотодиода. [37]

Конструкция линии задер - [ IMAGE ] Конструкция оптро. [38]

В качестве приемника света используют кремниевый фотодиод, полученный в теле полупроводниковой подложки методом диффузии. Световодом служит селеновое стекло, напыленное на подложку. Источник света представляет собой светодиод, образованный напылением на селеновое стекло слоя арсенида галлия с последующим образованием в нем диффузионного р - - перехода. [39]

Светочувствительный датчик в виде пары кремниевый фотодиод - операционный усилитель. [40]

Выбор в качестве светочувствительного элемента кремниевого фотодиода объясняется тяжелыми температурными условиями, в которых должен работать датчик. [41]

Оптопары диодно-транзисторные, состоящие из кремниевого фотодиода, п-р - п кремниевого планарногд транзистора у эпитаксиального излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется передача информации. Выпускаются в металлосте-клянном корпусе с гибкими выводами. [42]

Оптопары диодно-транзи-сторные, состоящие из кремниевого фотодиода, п-р - п кремниевого планарного транзистора у эпитаксиального излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется передача информации. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. [43]

В последние годы наряду с кремниевыми фотодиодами применяются арсенидо-фосфидо-галлиевые фотодиоды. По основным характеристикам они близки к кремниевым, но выгодно отличаются своей спектральной чувствительностью: она зависит от соотношения частей арсенида и фосфида и ограничена видимой областью спектра, что позволяет обойтись без светофильтра перед фотодиодом. [44]

Образованы излучающим арсенидгаллиевым диодом и кремниевым фотодиодом. Предназначены для использования в составе герметизированных гибридных микросхем. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5