Cтраница 2
![]() |
Спектральные характеристики кремниевого фотоприемника при разных обратных смещениях. [16] |
Для кремниевых фотодиодов с небольшими диффузионными длинами ( 60 мкм) максимум фотоответа приходится на более коротковолновую область спектра. С ростом напряжения обратного смещения из-за расширения области объемного заряда коэффициент собира - - ния в длинноволновой области увеличивается. [17]
У кремниевых фотодиодов максимум чувствительности также сдвигается при охлаждении в коротковолновую область спектра, но фотоответ для А 550 7 мкм практически от температуры не зависит. [19]
Чувствительность кремниевых фотодиодов равна 3 мА / лм, германиевых - 20 мА / лм, сернисто-серебряных - 10 - 15 мА / лм. Фотодиоды обладают значительной инерционностью из-за конечного времени диффузии носителей заряда к р-п-переходу и прохождения их через область объемного заряда в р-п-переходе. Кроме того, на инерционность влияет также время зарядки емкости p - n - перехода. Частотные характеристики фотодиодов зависят от материалов, из которых они выполнены, а та. [20]
Особенностью кремниевых фотодиодов при их работе в диодном режиме является не только низкое рабочее напряжение, но и малый темновой ток, который при обычных условиях всегда меньше 1 мка и лишь при температурах ( 50 - 60) С достигает величины 5 - 10 мка. У германиевых фотодиодов даже при обычных температурах темновой ток достигает 10 - 20 мка. [21]
![]() |
Семейство ВАХ фотодиода ( Ф1Ф2Фз.| Вольт-амперная характеристика фотодиода в фотогальваническом режиме. [22] |
У кремниевых фотодиодов значение фото - ЭДС равно 0 5 - 0 55 В. [23]
Конструктивное выполнение кремниевого фотодиода ( тип ФДК-1), применяемого в качестве индикатора ближнего инфракрасного излучения, иллюстрирует рис. 4.11, а. Снизу к корпусу приварено кольцо 6, плотно охватывающее стеклянную шайбу, через которую проходят вводы 7 и 8 к прибору. Для герметичности и прочности вводы залиты снизу эпок - сидной смолой. [24]
![]() |
Устройство фотодиода ( а. схема включения ( б и вольтамперные характеристики ( в. [25] |
Темновой ток кремниевых фотодиодов составляет около 1 мка, у германиевых он достигает нескольких десятков микроампер. [26]
Лучшие характеристики имеют кремниевые фотодиоды. Они более температуростабильны и имеют хорошую спектральную чувствительность в диапазоне волн А, 1 2 мкм, не воспринимая излучения закристаллизовавшегося металла и металла околошовной зоны, когда А, 1 2 мкм. [27]
Наибольшей стабильностью обладают кремниевые фотодиоды, однако они имеют сравнительно низкую чувствительность. [28]
Сведения о поведении кремниевых фотодиодов при длительной работе относятся преимущественно к использованию их в качестве солнечных элементов. [29]