Кремниевый фотодиод
Cтраница 4
Образованы излучающим ар-сенидогаллиевым диодом и кремниевым фотодиодом. Предназначены для использования в составе герметизированных гибридных микросхем. [46]
При увеличении освещенности напряжение холостого хода кремниевого фотодиода увеличивается приблизительно до 0 5 В. [47]
Минимальная измеряемая температура для пирометра с кремниевым фотодиодом лежит в диапазоне 450 - 700 С в зависимости от размеров измеряемого тела и расстояния между нагретым телом и датчиком пирометра. [48]
 |
Полупроводниковая термопара. а - включение в режиме термогенератора. б - включение с внешним источником питания. в - тепловая характеристика. г - ВАХ.| Структура кремниевого фотоэлеме нта. [49] |
Спектральная характеристика кремниевых фотоэлементов аналогична соответствующей характеристике кремниевых фотодиодов: ее максимум находится в диапазоне длин волн 0 7 - 0 8 мкм и довольно близко подходит к максимуму распределения энергии в солнечном спектре. При малых освещенностях ток короткого замыкания линейно зависит от светового потока: 1к1гФ, где k - интегральная чувствительность фотоэлемента. [50]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе. [51]
Образованы излучающим диодом на основе арсенида галлия и кремниевым фотодиодом. [52]
Образованы излучающим диодом на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется передача информации. Выпускаются в пластмассовом корпусе. [53]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для применения в составе гибридных микросхем. [54]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе. [55]
Образованы излучающим диодом на основе арсенида галлия и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязка электрических цепей радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. [56]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем. [57]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлии-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для применения в составе гибридных микросхем. [58]
Образованы излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязки электрических цепей, между которыми осуществляется информационная связь. Выпускаются в металлическом корпусе. [59]
Образованы излучающим диодом на основе арсенида галлия и кремниевым фотодиодом. Предназначены для гальванической развязка электрических цепей радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5