Фотоситалл

Cтраница 3

Зависимость от частоты угла потерь исходного стекла и полученных из него фотоситаллов. [31]

С уменьшением частоты кривые изменения tg 6 фотоситалла, как и стекла, сдвигаются в область более низких температур. [32]

Путь тока свч по внутренней. [33]

Гладкие полированные поверхности оснований из стекла или фотоситалла, предназначенные для пленочных микросхем, получают полированием с применением абразивосодержащих полировочных паст. Металлические полированные поверхности применяют в технике СВЧ. Сопротивление токам высокой частоты, вытесненным в весьма тонкий слой внутренней поверхности волновода, в значительной степени зависит от микрорельефа этой поверхности. [34]

Зависимость от частоты угла потерь исходного стекла и полученных из него фотоситаллов. [35]

Сравнивая кривые температурной зависимости tg б стекла и фотоситалла ( рис. 88), снятые при одной и той же частоте 1 106 гц, можно заметить, что tg б фотоситалла с температурой растет значительно медленнее, чем у стекла. Сдвиг кривых температурной зависимости tg6 фотоситалла подтверждает предположение о релаксационном характере потерь. Для выделения релаксационных потерь, на которые накладываются также потери проводимости в этом интервале частот, нами рассчитывались общие наблюдаемые потери и потери проводимости. Разность между ними определяла потери, обусловленные ионной релаксацией. На рис. 89 представлен график зависимости релаксационных потерь от температуры. Максимум кривых смещается Е сторону более низках температур, что подтверждает ое-лаксационный характер потерь. [36]

Зависимость от частоты угла потерь исходного стекла и полученных из него фотоситаллов. [37]

Размытость максимумов на кривой температурной зависимости релаксационных потерь фотоситалла, характерная для аморфных веществ, еще раз указывает, что потери фотоситалла определяются главным образом остаточной стекловидной фазой. Для выяснения природы релаксирующих элементов были вычислены энергия активации релаксационного процесса и частота собственных колебаний релаксаторов. Энергия активации процесса релаксации, составляющая для стекла 0 380 эв, а для фотоситалла - 0 593 эв, меньше энергии активации процесса проводимости. [38]

Большой интерес представляют также особенности поверхности изделий из фотоситалла, являющиеся результатом фотохимической обработки светочувствительного стекла и способные влиять на прочность сцепления покрытия. [39]

Весьма перспективным является изготовление из светочувствительного стекла или фотоситалла масок сложной конфигурации и точных размеров для микропленочной радиоэлектроники. Маски для напыления в вакууме тонкопленочных схем могут иметь толщину до 0 1 мм и менее, ширину щелей или диаметр отверстий от 100 до 20 мк, работают без коробления и провисания при температурах 400 - 450 С ( для светочувствительного стекла) и 750 - 800 С ( для фотоситалла), что представляет несомненные преимущества перед используемыми в настоящее время металлическими масками. Благодаря значительно меньшему коэффициенту линейного расширения, чем у металлических масок, маски из светочувствительного стекла позволяют достичь большей точности размеров напыляемого рисунка и уменьшить разброс электрических параметров, которые можно легко замерять в процессе напыления схем. [40]

Скорость роста кристаллов в ситаллах. в функции температуры при каталитической кристаллизации. [41]

Такие материалы, как правило, принадлежат к фотоситаллам. Для образования центров вводят AgCl2, в некоторые стекла - Аи. [42]

Под воздействием ультрафиолетового облучения через позитивный фотошаблон на фотоситалле проявляется конфигурация подложки, изображенная на фотошаблоне. [43]

Скорость растворения кристаллической фазы в плавиковой кислоте. [44]

Высокотемпературную кристаллизацию фототермически заглушенного изделия для превращения его в фотоситалл необходимо проводить при температуре от 800 до 950 С. При более высокой температуре происходит плавление кристаллов. В процессе высокотемпературной термообработки метасиликат превращается в диси-ликат Li, если в стекле содержание А12О3 составляет не менее 8 - 10 %, a SiO2 достаточно для образования р-сподумена. Кроме этих фаз, если концентрация SiO2 выше 80 %, образуется кварц. Длительность термообработки зависит от температуры и состава стекла. При высоком содержании Li2O и низком SiO2 возможно образование не только дисиликата, но и метасиликата Li. Последний может присутствовать и при содержании SiO2, достаточном для полного превращения метасиликата Li в дисиликат Li, если, однако, термообработка проведена либо при слишком низкой температуре. Количество стекловидной фазы при этом также увеличивается. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5