Cтраница 1
Высокая фоточувствительность, термоэлектрические, люминесцентные и другие подобные свойства сульфидов галлия и индия позволяют использовать эти соединения в технике полупроводников, а особенно - в тонкопленочном исполнении - в микроэлектронике. [1]
Высокая фоточувствительность легированного железом электронного германия при низких температурах делает возможным его применение в качестве детектора теплового излучения. В этой связи были проведены предварительные исследования соответствующих характеристик. Отсюда можно заключить, что наиболее слабый сигнал, который еще можно обнаружить, составляет около 2 - 10 - 13 ли. В некоторых довольно грубых опытах было найдено, что но способности обнаруживать тепловое излучение от очень слабых источников образцы германия сравнимы с коммерческими фотоэлементами из PbS, охлажденными до 77 К. Однако большая инерционность и довольно узкая спектральная область высокой фоточувствительности пока ограничивают применение легированного железом электронного германия в качестве детектора теплового излучения. [2]
![]() |
Зависимость коэффициента усиления от энергии фотона для фоторезистора из GaP. Си Г137 ]. [3] |
Высокой фоточувствительностью в УФ области вплоть до Х0 25 мкм обладают фоторезисторы на основе GaP. [4]
Сочетание высокой фоточувствительности ( на длине волны ЯякО 9 мкм практически достигнут теоретический предел фоточувствительности 5ф 0 7 А / Вт) и высокого быстродействия. [5]
![]() |
Семейстио вольт-амперных характеристик фототиристора. ( Ф3Ф2Ф.| Характеристика управления. [6] |
Фототиристор обладает высокой фоточувствительностью. [7]
![]() |
Спектры поглощения. [8] |
Вместе с тем высокая фоточувствительность не совместима с представлением о срыве электронов с примесных уровней, число которых не достигает и 1 %, да и энергия перехода электронов с этих уровней слишком мала - порядка 0.1 эл. [9]
![]() |
Диаграмма состояния системы Bi - S. [10] |
Соединение Sb2S3 отличается высокой фоточувствительностью. При экспериментальном исследовании температурной зависимости плотности халькогенидов сурьмы в твердом и жидком состояниях и определении коэффициентов их термического расширения рассчитаны характеристики прочности межатомной связи с энергии решеток этих соединений [ 148, с. Сульфиды сурьмы в отличие от сульфидов мышьяка растворимы в концентрированной соляной кислоте, но нерастворимы в водном растворе карбоната аммония. В растворах щелочей и сернистом аммонии они растворяются так же, как и сульфиды мышьяка. [11]
![]() |
Схем устройства фотосопротивления ( а и схема его включения. [12] |
К достоинствам фотосопротивлений относятся: высокая фоточувствительность, большой срок службы, малые размеры, простота изготовления, возможность выбора фотосопротивления для нужного интервала длин волн, в частности и для инфракрасной области. [13]
К достоинствам фотосопротивлений относятся: высокая фоточувствительность, большой срок службы, малые размеры, простота изготовления, возможность выбора фотосопрртивления для нужного интервала длин волн, в частности и для инфракрасной области. [14]
![]() |
Кривые спектральной чувствительности барабанов из a - Si. / - положительный заряд [ Ь С-a - Si.. Н ( р ]. 2 - отрицательный заряд БС - a - Si. N. И ( л 1. [15] |