Cтраница 5
Высокой фоточувствительностью в УФ области вплоть до Х0 25 мкм обладают фоторезисторы на основе GaP. Далее проводится отжиг при 7680 С в течение 10 мин. Темновые и световые характеристики таких УФ фоторезисторов линейны до напряженности электрического поля 104 В / см. Для получения высокой фоточувствительности в УФ области используется обработка поверхности лишь в органических растворителях с последующей промывкой в деионизованнои воде. [61]