Высокая фоточувствительность

Cтраница 4

В работе [78] изучалась кинетика собственной и примесной фотопроводимости кристаллов GaSe, который обладает высокой фоточувствительностью в области волн 0 55 - 0 7 ик. Изучение кинетики примесной фотопроводимости является эффективным методом исследования положения локальных уровней в запрещенной зоне полупроводника. Прозрачные тонкие кристаллы GaSe очень удобны для этих исследований. [46]

Структура полевого фототранзистора и схема его включения. [47]

Они обладают: высоким входным сопротивлением, что позволяет работать при больших уровнях сигналов; высокой фоточувствительностью ( до десятков А / лм); полосой пропускания 10е - 107 Гц. На рис. 9.32 представлена структура полевого транзистора и схема его включения. [48]

Поэтому сульфид кадмия не только является самым чувствительным фотосопротивлением в видимой области спектра, но и используется для счета ядерных частиц, рентгеновских и - ( - лучей. При этом квантовый выход часто достигает 10 000 электронов на один поглощенный фотон, чем и объясняется высокая фоточувствительность. [49]

Так же как и соединения AinBVI со структурой GaS, селенид и сульфид таллия и отчасти теллурид индия обладают полупроводниковыми свойствами - высокой фоточувствительностью и высокими термоэлектрическими свойствами. Эти соединения со значительной долей металлической связи имеют более низкие значения ширины запрещенной зоны, чем соединения типа GaS, а также высокую электропроводность. Резкого различия в свойствах этих двух подгрупп соединений не наблюдается. [50]

Зависимость относительной чувствительности S-фототранзистора от уровня освещенности. [51]

Следует отметить противоречивость некоторых требований к фототранзисторам. Для получения большого усиления необходимо уменьшать толщину базовой области, снижать удельное сопротивление и время жизни но сителей. Одновременно для достижения высокой фоточувствительности толщина базы и время жизни должны быть велики. Инерционность фототранзисторов определяется временем жизни. Топология фототранзистора-должна обеспечивать поглощение всего излучения в области объемного заряда коллектора. Для этого, как и в случае p - i-л-диода, фототранзистор должен иметь широкую / - область в структуре. Некоторые из этих противоречий могут быть разрешены созданием интегральных фотоприемников. [52]

Исследованию его свойств посвящено большое число работ. Это соединение имеет высокую фоточувствительность и люминесцентные свойства. Разработка методов выращивания монокристаллов GaSe и получения прозрачных, любой толщины и размеров, слоев, не требующих специальной полировки, позволила исследовать оптическое отражение и пропускание монокристаллов в различных областях спектра, электролюминесценцию фотопроводимость. Были изучены также электропроводность, эффект Холла и другие свойства GaSe. [53]

Монокристаллы In4S5 получены зонной плавкой на горизонтальной установке. Состав соединения подтвержден химическим анализом, рентгенографически и термографически. Монокристаллы In4S5 обладают высокой фоточувствительностью, низкой удельной электропроводностью ( - iQ - 6cM - 1 - cM - 1) и электронным типом проводимости. [54]

Температурная зависимость удельного сопротивления электронного и дырочного германия, легированного никелем, свидетельствует о том, что введение никеля в германий вызывает появление двух акцепторных уровней, из которых один отстоит на 0 22 0.01 аи от потолка валентной зоны, а другой-на 0 30 f 0 02 ев от дна зоны проводимости. Значения энергии ионизации, полученные из исследования инфракрасной фотопроводимости при 77 К, согласуются с найденными из измерений удельного сопротивления. Образцы n - типа проявляют более высокую фоточувствительность, чем дырочные; в них обнаруживается также эффект гашения тока. [55]

Спектр излучения CaSe при различных значениях пучка электронов. [56]

При 60 К люминесцентная зона GaSe находится при 0 71 мк. В работе [78] изучалась кинетика собственной и примесной фотопроводимости кристаллов GaSe, который обладает высокой фоточувствительностью в области волн 0 55 - 0 7 мк. Изучение кинетики примесной фотопроводимости является эффективным методом исследования положения локальных уровней в запрещенной зоне полупроводника. Прозрачные тонкие кристаллы GaSe очень удобны для этих исследований. [57]

Спектральная чувствительность фотоприемников в УФ области спектра определяется многими факторами, главный из которых - ширина запрещенной зоны используемого полупроводника. Однако круг применяемых полупроводников определяется не только значением Eg. Необходимо учитывать такие факторы, как коэффициент отражения и коэффициент преломления материала в УФ области спектра, состояние поверхности, ее дефектность и др. При выборе исходного полупроводника важную роль играет уровень разработки технологии его получелия. Требование высокой фоточувствительности в УФ области спектра определяет и особенности конструкции - фотоприемников данного типа. Для изготовления УФ фотоприемников - используются кремний, широкозонные соединения А3 - В5 и А2 - В6, карбид кремния и слоистые соединения. [58]

ЭЛЕКТРОХИМИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, изучает строение границы раздела полупроводпик электролит и физ. Особенности этих процессов обусловлены наличием двух видов подвижных носителей заряда - электронов зоны проводимости и положительно заряж. Электроны и дырки участвуют в электродных процессах независимо друг от друга. Для полупроводниковых электродов характерна высокая фоточувствительность, причем поглощенный свет ускоряет преим. Генерация неравновесных электронов и дырок, возможная при электрохим. [59]

В области собственного поглощения свет создает дополнительные носители в базовой области и снижает ее сопротивление. Вследствие этого происходит перераспределение напряжений, причем напряжение на р - n - переходе возрастает и увеличивается ин-жекционный ток. Это приводит к новому снижению сопротивления базы, к новому перераспределению напряжений и к новому росту инжекционного тока. Таким образом и обеспечивается высокая фоточувствительность S-диодов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5