Высокая фоточувствительность

Cтраница 2

Ход обеих кривых свидетельствует о высокой фоточувствительности во всем диапазоне. [16]

Кривые спектральной чувствительности барабанов из a - Si. / - положительный заряд [ Ь С-a - Si.. Н ( р ]. 2 - отрицательный заряд БС - a - Si. N. Н ( л ]. [17]

Ход обеих кривых свидетельствует о высокой фоточувствительности во всем диапазоне. [18]

Халькогениды таллия в твердой фазе обладают высокой фоточувствительностью и имеют термоэлектрические свойства, приемлемые для практического использования в полупроводниковых устройствах. Наблюдающаяся в ряде сплавов системы Т1 - Те проводимость re - типа, крайне редко встречающаяся в проводящих расплавах, позволяет рассматривать соединения таллия с теллуром как перспективный материал для отрицательных ветвей жидких термоэлектрических генераторов. Однако для характеристики расплавленных халькогенидов таллия как возможного материала для жидких термоэлектрических генераторов необходимы сведения о важном параметре - коэффициенте теплопроводности. Этот параметр не только определяет термоэлектрическую добротность материала, но и является одной из важнейших характеристик жидкости, зависящей от ее структуры и характера движения ее структурных элементов. [19]

Благодаря устойчивости на воздухе большинства халь-когенидов галлия, высокой фоточувствительности, люминесцентным и другим важным физическим свойствам эти вещества представляют особый интерес как полупроводниковые материалы. [20]

Большинство современных фотоэлементов имеет сурьмяно-цезиевые или кислородно-цезиевые катоды, обладающие высокой фоточувствительностью. [21]

Большинство современных фотоэлементов имеет сурьмяно-це-зиевые или кислородно-цезиевые катоды, обладающие высокой фоточувствительностью. [22]

Основной трудностью при конструировании мощных фото - - тиристоров является то, что для получения высокой фоточувствительности толщины всех слоев р-п-р-п структуры должны быть достаточно малыми ( меньше диффузионной длины неосновных носителей), в то время как для получения высокого рабочего напряжения толщина базовых слоев должна быть большой. [23]

В работе [150] Л. М. Прокатор описывает метод нанесения спеченных слоев CdSe, обеспечивающий получение слоев с высокой фоточувствительностью в области низких освещенностей на большой поверхности, равномерных по толщине и фотоэлектрическим параметрам. Для нанесения слоев ( толщиной в среднем 30 мкм) использовали селенид кадмия CdSe марки чистый завода Красный химик. [24]

Обобщая сказанное, можно сделать вывод, что определяющими факторами преимущественного применения сернисто-кадмиевых фоторезисторов являются их высокая фоточувствительность, большие фототоки, большая рабочая площадь фотоприемника. [25]

В ФП происходит преобразование оптического сигнала в электрический с минимальными потерями его информативности, что определяет требование высокой фоточувствительности ФП при достаточном быстродействии. Иногда ФП сочетает в себе и функцию предварительного усиления фотосйгнала. Очевидно, что эффективность работы цепочки И-О / С-ФП может быть реализована лишь при согласовании спектральных характеристик всех входящих в нее элементов. [26]

Кристаллы n - типа с примесью кобальта, так же как и кристаллы, легированные золотом и железом, имеют более высокую фоточувствительность, чем дырочные образцы, и обнаруживают эффект гашения тока. Оба эти наблюдения приводят к выводу о существовании дырочных ловушек и соответствуют модели [2, 3], согласно которой примесные центры с двойными отрицательными зарядами ведут себя в германии как ловушки. [27]

В кремниевых СЭ, используя специальную обработку поверхности, удается снизить значение до 103 - 104 см-с 1, что при толщине фронтального слоя 70.1 - 0.2 мкм позволяет получить высокую фоточувствительность в коротковолновой области ( Х 0.4 - 0.5 мкм) солнечного спектра. [28]

Зависимости содержания AlAs в твердых растворах Al - Ga As от. [29]

Функция же широкозонного фронтального слоя сводится лишь к устранению влияния поверхностной рекомбинации, и этот слой может быть выполнен достаточно тонким 1 мкм), благодаря чему такой СЭ имеет высокую фоточувствительность в коротковолновой части солнечного излучения. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5