Внутренний фотоэффект
Cтраница 1
Внутренний фотоэффект ( фотопроводимость) возникает, если энергия кванта облучающего света достаточна для перевода электрона в зону проводимости. Внутренний фотоэффект в веществе, состоящем из полупроводников с проводимостью и - и р-типа, может привести к созданию разности потенциалов на электродах внешней цепи. [1]
Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход электронов на более высокий энергетический уровень приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических свойств вещества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают запрещенную зону и переходят в зону проводимости. [2]
Внутренний фотоэффект используется в фоторезисторах, фотодиодах, фототранзисторах. [3]
Внутренний фотоэффект сопровождается уменьшением сопротивления полупроводника. Изменение сопротивления полупроводника под действием квантов света называют фоторезистивным эффектом. [4]
Внутренний фотоэффект ( фотопроводимость) возникает, если энергия кванта облучающего света достаточна для перевода электрона в зону проводимости. Внутренний фотоэффект в веществе, состоящем из полупроводников с проводимостью п - и р-типа, может привести к созданию разности потенциалов на электродах внешней цепи. [5]
Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход электронов на более высокий энергетический уровень приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических свойств вещества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают запрещенную зону и переходят в зону проводимости. [6]
 |
Энергии активации проводимости и т. - э.д.с. в стеклах As40Se60.| Зависимость т. - э.д.с. стекол CdGexAs2 от д.с. мкВ / К. [7] |
Внутренний фотоэффект ( фотопроводимость) был обнаружен впервые У. [8]
Внутренний фотоэффект используется в фоторезисторах, фотодиодах, фототранзисторах. [9]
Внутренний фотоэффект наблюдается у полупроводников и в меньшей мере у диэлектриков. Полупроводниковая пла - - j стинка Р присоединена последовательное гальванометром G к полюсам батареи. Ток в этой цепи незначителен, поскольку полупроводник обладает большим сопротивлением. Однако при освещении пластинки ток в цепи резко возрастает. [10]
 |
Схема включения фото-резистора. [11] |
Внутренний фотоэффект ( фотопроводимость) заключается в изменении проводимости полупроводников при изменении интенсивности падающего на них светового потока. Фотоэлемент, в котором используется внутренний фотоэффект, называется фоторезистором. Ток протекающий через фоторезистор, зависит от светового потока и напряжения, приложенного к фоторезистору. С увеличением светового потока сопротивление полупроводника уменьшается и ток в цепи возрастает. Основным преимуществом фоторезисторов является их высокая чувствительность. К существенным недостаткам фоторезисторов относятся: нелинейная зависимость фотоэлектрического тока от светового потока и их значительная инерционность, которая сказывается уже на частоте 10 - 100 гц. [12]
Внутренний фотоэффект состоит в переходе Электронов за счет энергии поглощенных световых квантов из валентной зоны в зону проводимости. В случае примесных полупроводников электроны могут переходить из валентной зоны на уровни примеси или с примесных уровней в зону проводимости. [13]
 |
Основные характеристики материалов A BV для фотоприемников. [14] |
Внутренний фотоэффект имеет несколько разновидностей. Фоторезиетивный эффект сводится к увеличению проводимости образца под действием квантов света и может быть связан как с собственным, так и с примесным поглощением. Поскольку запрещенная зона соединений AU1BV имеет ширину от десятых долей до единиц электрон-вольт, фотопроводимость в них наблюдается в инфракрасной, видимой, ультрафиолетовой областях спектра. Спектры собственной фотопроводимости соединений AI ] IBV однотипны. Длинноволновый край спектра фоточуветвительности соответствует краю собственного поглощения. Спад чувствительности в коротковолновой части связан с уменьшением скорости генерации носителей заряда при большой величине коэффициента поглощения. Примесная фотопроводимость наблюдается при более длинных волнах и проявляется значительно слабее, чем собственная. [15]
Страницы: 1 2 3 4