Внутренний фотоэффект

Cтраница 2

Схема возможных оптических переходов электрона в запрещенной зоне.| Прямые / и непрямые 2 оптические межзонные переходы. [16]

Внутренний фотоэффект - это процесс внутренней ионизации полупроводника под действием света, приводящий к образованию добавочных, неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. [17]

Внутренний фотоэффект в полупроводниках приводит к появлению в нем электронов или дырок ( 111.3.11.5) и называется фотопроводимостью. На явлении фотопроводимости основано устройство приборов, называемых фотосопротивлениями, и фотоэлементов с внутренним фотоэффектом. [18]

Внутренний фотоэффект используется в фотосопротивлениях; они изготовляются главным образом из сернистого свинца, сернистого висмута, сернистого кадмия. Обычно фотосопротивление представляет собой стеклянную пластинку, на которую нанесен тонкий слой полупроводника, на поверхности которого укреплены токопод-водящие электроды. [19]

Внутренний фотоэффект, или фотопроводимость, - это явление возникновения внутри полупроводника избыточных носителей тока под действием освещения. В простейшем случае собственного полупроводника излучение возбуждает валентные электроны в зоне проводимости, где они находятся в свободном состоянии и могут участвовать в процессе переноса заряда. [20]

Внутренний фотоэффект характеризуется возникновением в полупроводнике под действием света неравновесных пар подвижных носителей заряда - свободных электронов и дырок. При внутреннем фотоэффекте энергия фотонов hv расходуется на перемещение электронов из валентной зоны в зону проводимости. [21]

Внутренний фотоэффект проявляется в уменьшении сопротивления ряда веществ под действием лучистой энергии. Энергия поглощенного света расходуется при этом на освобождение некоторого числа электронов внутри самой массы вещества, на перевод их в зоны проводимости. [22]

Внутренний фотоэффект заключается в уменьшении сопротивления некоторых полупроводников под действием светового потока, а фотоэлементы, основанные на этом эффекте, называются фотосопротивлениями. [23]

Внутренний фотоэффект был открыт в 1873 г. Английскому электротехнику Уиллоуби Смиту и его помощнику Мею для испытания подводного кабеля необходим был материал, обладающий высоким электрическим сопротивлением. [24]

Внутренний фотоэффект в зависимости от типа полупроводника, температуры, концентрации примесей и напряженности электрического поля проявляется в инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой частях электромагнитного спектра. [25]

Внутренний фотоэффект заключается в том, что источник излучения световой энергии вызывает увеличение энергии у части электронов веществ, ионизацию атомов и образование новых носителей зарядов ( электронов и дырок), вследствие чего уменьшается электрическое сопротивление освещаемого материала. Если при внешнем фотоэффекте электроны покидают пределы освещаемого вещества, то при внутреннем фотоэффекте они остаются внутри его, увеличивая количество носителей электрических зарядов. [26]

Схема включения фотоэлемента с внешним фотоэффектом в электрическую цепь. [27]

Внутренний фотоэффект, состоящий в том, что активное сопротивление ( электропроводность) полупроводника находится в зависимости от его освещенности. [28]

Внутренний фотоэффект подчиняется довольно простым квантовым закономерностям, если он не осложняется мало еще изученными вторичными явлениями, как это большей частью встречается. [29]

Внутренний фотоэффект исследуется на серно-серебряном фотоэлементе. Интегральная чувствительность такого фотоэлемента доходит до 5000 мка / лм. [30]

Страницы: 1 2 3 4