Внутренний фотоэффект

Cтраница 3

Внутренний фотоэффект - появление под действием света добавочных электронов проводимости внутри полупроводника, что ведет к уменьшению сопротивления облучаемого светом тела. [31]

Внутренний фотоэффект, возникающий в полупроводниках в результате их облучения, определяется активацией обобществленных электронов и переносом их в зону проводимости. Энергетические зоны кристаллической решетки, соответствующие различным уровням электронного возбуждения, разделены между собой запрещенными зонами. Если ширина запрещенной зоны - невелика и не превосходит энергии поглощенного фото-на, поглощение фотона может привести к переносу электрона на один из возможных уровней зоны проводимости. Если в результате поглощения энергии излучения большое число электронов попадает в зону проводимости, электрическая проводимость полупроводника значительно увеличится. [32]

Конструкция термоэлемента. [33]

Внутренний фотоэффект может также наблюдаться при поглощении полупроводником средних и быстрых электронов, а также частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы возникает импульс тока продолжительностью около 0 05 мксек, соответствующий прохождению 10е электронов. Поэтому полупроводники могут быть использованы в качестве счетчиков ядерных частиц. [34]

Конструкция термоэлемента. ч. [35]

Внутренний фотоэффект может также наблюдаться при поглощении полупроводником средних и быстрых электронов, а также частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы возникает импульс тока продолжительностью около 0 05 мксек, соответствующий прохождению 106 электронов. Поэтому полупроводники могут быть использованы в качестве счетчиков ядерных частиц. [36]

Внутренний фотоэффект может также наблюдаться при поглощении полупроводником средних и быстрых электронов, а также материальных частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы отмечается импульс тока, соответствующий прохождению 10fi электронов продолжительностью около 0 05 мксек. [37]

Зависимость коэффициента диффузии различных примесей в кремнии от температуры. [38]

Внутренний фотоэффект в германии наблюдается и при поглощении средних и быстрых электронов, а также при торможении элементарных частиц больших масс. Так, при поглощении а-частицы отмечается импульс тока продолжительностью около 0 5 мксек, соответствующий прохождению 106 электронов. Поэтому германий может быть использован и для изготовления счетчиков ядерных частиц. [39]

Внутренний фотоэффект наблюдается у полупроводников и, в меньшей мере, у диэлектриков. Полупроводниковая пластинка Р присоединена последовательно с гальванометром G к полюсам батареи. Ток в этой цепи незначителен, поскольку полупроводник обладает большим сопротивлением. Однако при освещении пластинки ток в цепи резко возрастает. [40]

Внутренний фотоэффект используется в устройстве фотосопротивлений и фотоэлементов. [41]

Внутренний фотоэффект возникает при облучении светом полупроводников или диэлектриков. Освобождаемые при облучении электроны не покидают пределы тела, а, оставаясь внутри этих тел, увеличивают их электропроводность за счет возрастания в теле числа свободных носителей тока - электронов и дырок. Если энергия фотона е hv достаточна для того чтобы при ее поглощении электрон перешел из валентной зоны в зону проводимости ( см. рис. 117 и 118), то в зоне проводимости появятся электроны, а в валентной зоне - дырки, что увеличит число носителей тока. [42]

Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках. Энергия фотонов передается электронам полупроводника. Если эта энергия hv больше ширины AW запрещенной зоны, то электрон переходит в чистом полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости. В примесных полупроводниках поглощение фотона ведет к переходу электрона с донорных уровней в зону лроводимости или из валентной на акцепторные уровни. Таким образом, при освещении полупроводников увеличивается их проводимость. На этом явлении основано действие фоторезисторов. [43]

Схема включения фотоэлемента с внешним фотоэффектом в электрическую цепь. [44]

Внутренний фотоэффект, состоящий в том, что активное сопротивление ( электропроводность) полупроводника находится в зависимости от его освещенности. [45]

Страницы: 1 2 3 4