Внутренний фотоэффект

Cтраница 4

Внутренний фотоэффект в полупроводниковом кристалле при поглощении излучения проявляется либо в виде увеличения удельной электрической проводимости, либо в создании фото - ЭДС между р - и - слоями электрического перехода. В собственном ( беспримесном) полупроводнике при облучении ( как и при подогреве) генерируются электронно-дырочные пары носителей заряда, которые под воздействием внешнего напряжения движутся упорядоченно. В п р и-месных кристаллах при облучении происходит ионизация донорных или акцепторных примесей, образующиеся при этом дополительные носители зарядов уменьшают сопротивление полупроводника. [46]

Внутренний фотоэффект состоит в изменении электропроводности полупроводника под действием падающего на него света. [47]

Внутренний фотоэффект связан с генерацией в твердом теле электронно-дырочных пар, которые увеличивают его электропроводность. [48]

Внутренний фотоэффект отсутствует и у хлорофилла в виде микрокристаллов. Тот же отрицательный результат был получен для пленок и порошков гемина. Фталоцианины магния и меди в виде осажденных пленок на воздухе или в вакууме фотоэдс на нашей установке не обнаруживают. [49]

Внутренний фотоэффект обнаружен у 50 органических полимеров ( из исследованных 70) с тройными связями в цепи общей формулы R - [ СС - R. [50]

Внутренний фотоэффект примесных фотоэлектрически активных молекул в твердом органическом диэлектрике изучался при замораживании до низкой температуры их растворов в органических средах. [51]

Внутренний фотоэффект в полупроводниках приводит к появлению в нем электронов или дырок ( III. На явлении фотопроводимости основано устройство приборов, называемых фотосопротивлениями, и фотоэлементов с внутренним фотоэффектом. [52]

Внутренний фотоэффект может наблюдаться также и s диэлектриках. [53]

Внутренний фотоэффект в полупроводниках приводит к появлению в нем электронов или дырок ( 111.3.11.5) и называется фотопроводимостью. [54]

Схема опыта для измерения фотопроводимости. [55]

Внутренний фотоэффект - это процесс ионизации атомов полупроводника под действием света, приводящий к образованию добавочных неравновесных носителей заряда. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фотоэффектом, называют фотопроводимостью. [56]

Экситонные состояния Д / г Д / г0 е - / т. [57]

Внутренний фотоэффект в полупроводниках широко используется в электрической фотографии, или электрографии, сущность которой состоит в следующем. [58]

Обычно внутренний фотоэффект обусловлен электронами, эмиттированными из вещества под действием поглощенного света или другого невидимого излучения, проникающего на глубину приблизительно 10 нм. На этой глубине образуются свободные электроны, которые могут быть эмиттированы из полупроводника в том случае, если их энергии достаточно для достижения поверхности и преодоления поверхностного потенциального барьера. Фотоэффект не зависит от угла падения света. Выход фотоэмиссии определяется количеством энергии, которую электроны, генерированные на глубине около 10 нм, теряют в результате столкновений на пути к поверхности. Число столкновений в свою очередь зависит от параметра решетки и температуры. [59]

Значительный внутренний фотоэффект обнаружен и исследован в органических полимерах с тройными связями R - [ СС-R. [60]

Страницы: 1 2 3 4