Плоский фронт - кристаллизация
Cтраница 1
 |
Изменение морфологии эвтектики от стержневой к пластинчатой на основе анализа удельной энергии поверхности раздела. [1] |
Плоский фронт кристаллизации, определяющий образование правильной микроструктуры, отражает тот факт, что энергия поверхности раздела двух твердых фаз меньше энергии поверхности раздела каждой; из фаз с жидкостью. Такой минимум поверхностной энергии обусловливает предпочтительное ориентаци-онное соответствие двух твердых фаз. [2]
Плоский фронт кристаллизации устойчив в условиях, когда небольшой появившийся на нем выступ растет медленнее самого фронта, вследствие чего выступ рассасывается; если же условия таковы, что этот выступ растет быстрее, чем плоский фронт, и вершина его удаляется от фронта в расплав, то фронт неустойчив. [3]
 |
Тепловой поток в кристалле при вытягивании его из расплава по методу Чохральского. [4] |
Именно плоский фронт кристаллизации является важнейшим условием выращивания совершенных кристаллов с минимальным числом дислокаций и равномерным распределением примесей. [5]
Нарушение устойчивости плоского фронта кристаллизации приводит к появлению дендритов. Дендриты были обнаружены даже при малых ( порядка десятых долей градуса) переохлаждениях; отсюда авторы указанных работ делают вывод, согласно которому условием нарушения устойчивости плоского фронта кристаллизации и образования на нем дендритов является наличие перед плоским фронтом переохлажденного расплава. [6]
 |
Распределение концентрации азота 1, 2 и водорода 3, 4 в жидком металле при скоростях движения плоского фронта кристаллизации, см / с. [7] |
При переходе от плоского фронта кристаллизации к зубчатому, характерному для ячеистой кристаллизации, существенно меняется распределение газов в жидком металле перед фронтом кристаллизации. [8]
Если соблюдается условие плоского фронта кристаллизации, то изменения температуры кристаллизации и концентраций примесей в общем случае исключены и граница раздела будет плоской в масштабе нескольких сотен межатомных расстояний. Если же граница раздела искривлена, то распределение температуры, а также примесей вдоль границы раздела может изменяться и вызывать прорастание отдельных пирамид далеко в глубь расплава. В этих неконтролируемых условиях возможно возникновение любых видов нарушений. [9]
 |
Микроструктура продольного сечения сплава Со 2 0 % Ni - 1 0 % А1 - 1 8 % С ( Со, Сг, Ni, A1 - ( Cr, Co, Ni кристаллизация со скоростью 2 см / ч. [10] |
Рост возникает на макроскопическом плоском фронте кристаллизации и вновь критерий стабильности связан с переохлаждением, когда отношение температурного градиента к скорости должно быть равно или превосходить отношение интервала температур плавления сплава к эффективному коэффициенту диффузии атомов в жидкости. Критерий стабильности удобнее выражается через интервал температур плавления, чем через обычно используемые параметры: коэффициенты распределения растворенных атомов и наклон ликвидуса, поскольку последние не являются определенными для многокомпонентных сплавов. [11]
 |
Плоский фронт кристаллизации с выступом, имеющим форму полу-эллипсоида вращения. [12] |
Построение нестационарной теории устойчивости плоского фронта кристаллизации при синусоидальной форме налагаемого возмущения - весьма сложная задача, приближенное решение которой приводит к трудно обозримым результатам. [13]
Как известно, продвижение плоского фронта кристаллизации в жидкости сопровождается появлением ячеистого рельефа поверхности и образованием ячеистой субструктуры. [14]
Шьюмон [228] исследовал движение возмущенного плоского фронта кристаллизации из пересыщенного раствора с учетом линейной поверхностной кинетики на этом фронте. Было установлено, что при заданном градиенте концентрации примеси устойчивость возмущения определяется влиянием противодействующих друг другу факторов - потока вещества и поверхностной энергии - и не зависит от кинетического коэффициента. Впрочем, если градиент концентрации может меняться, то при любом малом кинетическом коэффициенте градиент концентрации обращается в нуль, а фронт роста становится устойчивым. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5