Плоский фронт - кристаллизация
Cтраница 4
Методы, применяемые для направленной кристаллизации эвтектических сплавов ( аналогичные методам получения монокристаллов: Бридж-мена, Чохральского, зонной плавки), должны обеспечивать плоский фронт кристаллизации - поверхность раздела между жидкой и твердыми фазами и однонаправленный отвод теплоты. В этом случае фазы эвтектики кристаллизуются перпендикулярно к поверхности раздела и следуют за ней по мере перемещения фронта кристаллизации, образуя ориентированные волокнистые или пластинчатые кристаллы. [46]
Если, например, выбрать значение п 7, то в этом случае имеет место уменьшение радиальной составляющей скорости течения расплава в пограничном слое на поверхности раздела фаз по сравнению с плоским фронтом кристаллизации. [47]
При точном решении вопроса об устойчивости плоского фронта кристаллизации следовало бы найти форму выступа, соответствующую максимальной скорости его роста, а после этого установить предельные условия, при которых выступ не может двигаться быстрее, чем плоский фронт кристаллизации. [48]
 |
Схема установки для выращивания монокристаллов вытягиванием из расплава. [49] |
Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл - расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Кристаллы со структурой алмаза ( германий, кремний, арсенид галлия и др.) как при естественном росте, так и при искусственном выращивании стремятся принять окта-эдрическую форму. Это стремление проявляется в том, что при выращивании кристаллов вытягиванием из расплава мо-яокристалл растет не в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью, а имеет на ней более или менее широкие полосы, распределенные по периметру поперечного сечения строго в соответствии с ориентировкой. [50]
 |
Влияние содержания азота и водорода ( суммарно-диффузионного и остаточного в металле шва на склонность к пористости. [51] |
Образование пор зависит в основном от перераспределения газов в жидком металле перед фронтом кристаллизации. Образование пор происходит перед плоским фронтом кристаллизации и во впадинах зубчатого фронта кристаллизации. С ростом содержания газов в металле сварочной ванны характер пористости меняется от образования единичных пор до сплошной пористости или образования газовой полости в центральной зоне шва. [52]
Эвтектическими AM называют материалы, полученные кристаллизацией из сплавов эвтектического состава, в которых армирующей фазой служат ориентированные волокна или пластинчатые кристаллы, образованные в процессе направленной кристаллизации. Эвтектические КМ получают, создавая плоский фронт кристаллизации. С / см, в усовершенствованных конструкциях - до 500 С / см. Если объемная доля армирующей фазы менее 12 %, образуется волокнистая структура, свыше 32 % - пластинчатая. С ростом объемной доли упрочнителя прочность эвтектических КМ повышается. [53]
Однако для таких композитов характерно постоянство объемной доли эвтектической фазы, что делает невозможным воздействие на их свойства путем изменения состава. Кроме того, для реализации плоского фронта кристаллизации необходимо использовать высокочистые вещества, так как примеси этому препятствуют. [54]
Другое ограничение метода направленной кристаллизации состоит в том, что необходимо использовать материал высокой степени чистоты. Если пользоваться недостаточно чистыми исходными материалами, то плоский фронт кристаллизации нарушается, в результате чего образуется ячеистая структура. [55]
Для роста образовавшегося кристалла необходимо, чтобы на фронте кристаллизации постоянно поддерживалось переохлаждение. Если величина переохлаждения невелика, то устойчивым будет плоский фронт кристаллизации. [56]
Подавляющее число имеющихся в литературе работ в рассматриваемом нами плане относится к получению монокристаллов. В этом случае обычно стремятся к плоскому или почти плоскому фронту кристаллизации, что сильно ограничивает возможности изменения внешних факторов и начальных условий. Поэтому в литературе нет систематических исследований о влиянии на процесс кристаллизации изменения внешних факторов и начальных условий в широких пределах, а такой фактор, как угол наклона продольной оси контейнера к горизонту, не исследован вовсе. [57]
Согласно представлениям, изложенным в гл. I, возможно также независимое объемное зарождение кристаллов перед плоским фронтом кристаллизации. [58]
Направление роста кристаллитов нормально к фронту кристаллизации. Поэтому при линейном процессе кристаллизации оси кристаллитов направлены по прямой, перпендикулярной плоскому фронту кристаллизации. Такая макроструктура называется линейной. [59]
Таршис и Тиллер [231], Зайденстиккер [232] и Джексон [193] исследовали морфологическую устойчивость плоского фронта кристаллизации сплава при условии, что градиент температуры на фронте роста направлен в сторону Кристалла. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5