Плоский фронт - кристаллизация
Cтраница 3
Рассмотрен процесс теплообмена в условиях кристаллизационной очистки веществ при движении плоского фронта кристаллизации в одномерном температурном поле. Определены условия, при которых поле температур в системе можно без большой погрешности рассматривать как квазистационарное. [31]
При - Ру О фронт кристаллизации устойчив, а при Ру0 плоский фронт кристаллизации разрушается и образуется ячеистая или дендритная структура. [32]
Структуры пластинного, волокнистого или более сложного типа формируются посредством создания плоского фронта кристаллизации и его перемещения в одном направлении путем направленного отвода теплоты от расплава. [33]
На основании полученного решения задачи в случае А обсуждаются условия устойчивости плоского фронта кристаллизации. [34]
В данном случае переохлаждение в жидкой фазе отсутствует, и поэтому анализ устойчивости плоского фронта кристаллизации невозможен. [35]
 |
Схема изменения фронта кристаллизации ИАГ с уменьшением тепло-отвода от тигля ( слева направо. а - вид сбоку. 6 - вид снизу.| Кристалл ИАГ, выращенный ТОРЫ6 ЗЗТеМ ИЗУЧЗЛИСЬ поляри. [36] |
В связи с вышеизложенным наиболее радикальный способ предотвращения объемного дефекта - выращивание кристалла с плоским фронтом кристаллизации при оптимальных скорости роста и температурных градиентах, а именно с малыми скоростями при интенсивном перемешивании расплава и при наличии достаточно больших температурных градиентов у границы раздела фаз. Получение однородного в поперечном сечении кристалла возможно также при развитии одной грани по всей поверхности фронта кристаллизации. [37]
Наличие минимума на зависимости, представленной на рис. 85, по-видимому, обусловлено потерей плоским фронтом кристаллизации своей устойчивости в присутствии значительного избытка коллектора ( см. разд. [38]
Кристаллизация металлов и материалов, ведущих себя в процессе кристаллизации подобно металлам, происходит с образованием плоского фронта кристаллизации или с ростом дендритов в переохлажденных расплавах, если эти материалы достаточно чистые. Наличие примеси является причиной образования ячеек или примесных дендритов. Большинство же неметаллов и, в частности, обычные органические соединения в процессе роста кристаллов ограничены большими плоскими гранями или имеют игольчатую поверхность раздела фаз. С помощью киносъемки зафиксированы формы фронта кристаллизации, характерные для ацетамида ( рис. 165, а) и для камфена ( рис. 165 6), полученные без воздействия ультразвукового поля. [39]
Отработку режимов вытягивания можно считать законченной только тогда, когда подобраны условия, обеспечивающие создание и поддержание плоского фронта кристаллизации в течение всего или большей части процесса выращивания. [40]
При Гн TV ( исходный перегрев расплава) Gm 0 [ оба слагаемых в (2.15) положительны ] и плоский фронт кристаллизации устойчив. [42]
При условии, что q1 q2 qlt0 q 0, скорость роста на вершине выступа больше, чем на плоском фронте кристаллизации, и плоский фронт неустойчив. [43]
В этих работах показано, что нарушение устойчивости возможно только при условии, что температура расплава ниже, чем на плоском фронте кристаллизации. Наличие переохлаждения является необходимым условием возникновения устойчивых выступов на плоском фронте. Однако выполнения этого условия еще недостаточно для отклонения формы фронта кристаллизации от плоской. [44]
Методы, применяемые для направленной кристаллизации эвтектических сплавов ( аналогичные методам получения монокристаллов: Бридж-мена, Чохральского, зонной плавки), Должны обеспечивать плоский фронт кристаллизации - поверхность раз - Дела между жидкой и твердыми фазами и однонаправленный отвод теплоты. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5