Плоский фронт - кристаллизация
Cтраница 2
При описанном объяснении причин неустойчивости плоского фронта кристаллизации уделялось недостаточно внимания вопросу о роли различия условий теплоотвода от плоского и от выступающих вперед участков фронта кристаллизации. [16]
Рассмотрен процесс теплообмена при движении плоского фронта кристаллизации в одномерном температурном поле. [17]
При точном решении вопроса об устойчивости плоского фронта кристаллизации следовало бы найти форму выступа, соответствующую максимальной скорости его роста, а после этого установить предельные условия, при которых выступ не может двигаться быстрее, чем плоский фронт кристаллизации. [18]
 |
Схема, объясняющая возникновение концентрационного переохлаждения Сгр - расстояние от границы раздела до некоторой точки в расплаве [ 7, с. 79. 66 ]. [19] |
Так или иначе, следствием морфологической неустойчивости плоского фронта кристаллизации является повышенный захват примесей, которые не успевают диффундировать в объем расплава и локализуются между ячейками или дендритами. Указанное явление возникает периодически, сменяясь периодами захвата примесей плоской границей раздела. [20]
 |
Диаграмма состояния двухкомпо-нентной системы, образующей эвтектику. [21] |
Направленное образование эвтектики осуществляется в регулируемых условиях плоского фронта кристаллизации. [22]
Ордвсй [42] рекомендует для переыешипания и создания совершенного плоского фронта кристаллизации при вертикальном расположении контейнера приводить последний во вращение со скоростью 10 - 30 об / мин с периодической остановкой и вращением в обратном направлении. Если учесть, что при этом контейнер должен еще совершать поступательное движение, становится очевидным, что в данном случае необходимо применять довольно сложную кинематическую схему. [23]
Если при охлаждении расплава эвтектического состава удается создать плоский фронт кристаллизации, то возникает упорядоченная ориентированная микроструктура. [24]
Для оценки эффекта формы выступа целесообразно рассмотреть устойчивость плоского фронта кристаллизации при возникновении на нем выступа, имеющего форму иную, чем полусфера. [25]
Из этого выражения следует, что примеси на плоском фронте кристаллизации при условии равномерного их распределения на внешней границе диффузионного пограничного слоя распределены также равномерно. [26]
Темкин [224, 225] исследовал скорость увеличения полусферического выступа на плоском фронте кристаллизации разбавленного бинарного сплава. Но, как показали Маллинз и Секерка [218], исследование поведения выступа специфической формы еще не позволяет сформулировать критерий устойчивости плоского фронта роста по отношению к произвольному возмущению. [27]
 |
Распределение ЗОМ. [28] |
Граничные условия сохраняются теми же, что и для плоского фронта кристаллизации при равномерном распределении легирующих примесей на внешней границе диффузионного пограничного слоя. [29]
Превышение этого значения Ь / р приводит к нарушению устойчивости плоского фронта кристаллизации. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5