Cтраница 1
Характеристика транзистора описана в условиях задачи 12.5. Найдите амплитуду Umnp выходного сигнала на промежуточной частоте. [1]
Характеристики транзистора описывают связь между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора для различных способов включения транзистора в схему. Из оставшихся двух величин одну поддерживают постоянной, другую оставляют свободной Задавая различные значения фиксированной величине, получают семейство статических характеристик транзистора. [2]
Характеристики транзистора в отпертом состоянии ( рис. 2 е) не проходят через начало координат, а смещены относительно него на падение напряжения, обусловленное наличием тока базы. Наклон характеристик возрастает с ростом отрицательного напряжения на базе. [3]
![]() |
Семейства статических входных ( а и выходных ( б характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [4] |
Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером ( рис. 4.14, а и б) качественно подобны характеристикам в схеме с общей базой. [5]
![]() |
Схемы на комплементарных полевых транзисторах. [6] |
Характеристики транзисторов одинаковы при противоположных знаках напряжений и токов. Если два таких транзистора соединить последовательно, а на их общие затворы подать одно и то же напряжение ( рис. 3 - 139 а), то в импульсном режиме попеременно один транзистор закрыт, а второй - насыщен. Таким образом, схема подобна двум последовательно соединенным выключателям, которые поочередно разомкнуты. Амплитуда выходного импульсного напряжения велика, а расход мощности источника питания незначителен. [7]
![]() |
Характеристики транзисторов П16 - П16Б. а - выходные в схеме с общей базой. б - зависимость коэффнвдента усиления по току от температуры окружающей среды. [8] |
Характеристики транзисторов П16 - Ш6Б: а - входные в схеме с общим эмиттером; б - входные в схеме с общей базой. [9]
![]() |
Стоковые характеристики полевого транзистора с обогащением.| Стоковые характеристики полевого транзистора с обеднением ( канал п-типа. [10] |
Характеристики транзистора с обогащением показаны на рис. 7.4. При напряжении на затворе us О стоковый ток очень мал и возрастает с ростом напряжения на затворе. Выводы истока и подложки обычно соединяются. [11]
![]() |
Упрощенная схема усилителя на транзисторе с общим эмиттером.| Схема для снятия статических характеристик транзистора р-п - - р с общей базой. [12] |
Характеристики транзистора устанавливают связь между токами, протекающими в цепях электродов, и напряжениями, приложенными к электродам. При любой схеме включения в транзисторе между собой всегда связаны четыре величины. [13]
Характеристики транзистора определяют зависимости между токами транзистора и напряжениями на его электродах. [14]
Характеристики транзисторов представляют зависимость между токами, протекающими в их цепях, и напряжениями, действующими в этих цепях. Транзистор имеет четыре вида характеристик. [15]