Характеристика - транзистор
Cтраница 2
Характеристики транзистора, находящегося в динамическом режиме, отличаются от характеристик статического режима, так как они определяются не только свойствами самого транзистора, но и свойствами элементов схемы. [16]
 |
Рабочая область выходных характеристик биполярных транзисторов. [17] |
Характеристики транзисторов, так же как и полупроводниковых диодов, сильно зависят от температуры. С повышением температуры резко возрастает начальный коллекторный ток / ко вследствие значительного увеличения количества неосновных носителей заряда в коллекторе и базе. В то же время несколько увеличивается и коэффициент / I2j3 из-за увеличения подвижности носителей заряда. [18]
Характеристики транзистора, находящегося в динамическом режиме, отличаются от характеристик статическо го режима, так как они определяются не только свойствами самого транзистора, но и свойствами элементов схемы. [19]
 |
Входные статические характеристики транзистора, включенного по схеме с обшей базой ( а и по схеме с общим эмиттером ( б. [20] |
Внходные характеристики транзистора в схеме с общей базой представлены на рис. 6.12, а и при / э 0 соответствуют характеристике диода, включенного в обратном направлении. Насыщение тока коллектора происходит уже при малых значениях UK. Весьма малый наклон характеристик при / э0 объясняется слабым влиянием напряжения коллектора на величину тока, так как инжектированные носители распространяются в базе, в основном, за счет диффузии. [21]
Характеристиками транзисторов пользуются для определения режимов работы транзисторных каскадов по любой схеме включения, а также для графического анализа этих каскадов при больших сигналах. При аналитическом методе расчета транзисторных каскадов пользуются линейными эквивалентными схемами транзисторов, которые отражают структурную связь малосигнальных параметров транзистора в режиме переменного тока. [22]
 |
Статические характеристики транзистора типа р-п - р, включенного по схеме с общим эмиттером. [23] |
Характеристиками транзистора называются зависимости между токами и напряжениями во входной и выходной цепях. При разных схемах включения транзистора входные и выходные цепи различны, следовательно, и характеристики представляют собой зависимости различных параметров для каждой схемы включения. [24]
Определив характеристики транзисторов, мы сталкиваемся с рассеиванием их электрических свойств. Вследствие крошечных размеров самой системы транзисторов рассеивание характеристик транзисторов по сравнению с другими элементами пока еще чрезвычайно велико. Это относится прежде всего к граничной частоте и усилению по току. Чувствительность р-и-перехода к поверхностным загрязнениям приводит к разбросу допустимых обратных напряжений. Чтобы облегчить потребителю применение транзисторов в своих схемах, изготовители транзисторов производят разбраковку транзисторов по тем параметрам, которые подвержены разбросу. В зависимости от значений граничной частоты, коэффициента усиления по току и обратного напряжения транзисторы разбиваются на группы, каждой из которых присваивается отдельное обозначение. [25]
Эта характеристика транзистора близка к параболе. [26]
Однако характеристики транзистора изменятся не очень сильно, если этот излом несколько сместится в базовую область. С другой стороны, смещение излома в область коллектора недопустимо, так как при этом в районе перехода градиент распределения примеси окажется большим и пробивное напряжение перехода снизится. На рис. 8 - 4 показано три возможных распределения примесей в базе и в коллекторе ( вблизи перехода): идельное распределение, с отклонением в допустимую сторону и с отклонением в недопустимую сторону. [28]
 |
Семейство статических характеристик обратной связи транзистора.| Представление транзистора в виде четырехполюсника. [29] |
Все характеристики транзисторов структуры п-р - п аналогичны и отличаются лишь обратными полярностями напряжений и направлениями токов. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5