Характеристика - транзистор
Cтраница 4
Из-за нелинейности характеристик транзистора все его параметры оказываются зависимыми от режима, определяемого положением точки покоя на этих характеристиках, и амплитуды сигнала. [46]
Для улучшения характеристик транзисторов важнейшую роль играет снижение порогового напряжения. Кроме того, переходя к низковольтным схемам, можно получить совместимость элементов на МОП-транзисторах и биполярных транзисторах, что создает большие удобства при разработке сложных устройств на полупроводниковых приборах. [47]
Из-за неидеальности характеристик транзистора появляются потери мощности. В оптимальном ключевом режиме мощность рассеивается - на этапе насыщения ( в сопротивлении насыщения транзистора) и на активном этапе ( который появляется из-за инерционности транзистора) при переходе из области насыщения в область отсечки. [48]
Существенная зависимость характеристик транзисторов от температуры вынуждает принимать специальные меры для температурной стабилизации режима работы транзисторов. Поскольку с увеличением температуры растут токи в цепях транзисторов, необходимо соответственно уменьшать постоянные напряжения для того, чтобы рабочая точка не сдвигалась. Температурная стабилизация осуществляется с помощью терморезисторов или, чаще, с помощью схем отрицательной обратной связи. [49]
 |
Транзисторный де - ных схемах конденсатор С имеет. [50] |
Вследствие особенности характеристик транзистора и его малого входного сопротивления практически нельзя осуществить с транзистором удовлетворительное детектирование по схеме, аналогичной сеточному детектированию с вакуумным триодом. Возможно применение детекторных ступеней по схеме с общей базой, но они не получили широкого распространения из-за очень малого входного сопротивления, свойственного этой схеме включения. [51]
 |
Физическая эквивалентная схема транзистора. [52] |
Из-за нелинейности характеристик транзистора все элементы эквивалентных схем оказываются зависимыми от режима, определяемого положением рабочей точки на этих характеристиках. [53]
Учитывая нелинейность характеристик транзистора, влияние подключения нагрузки и разброс параметров, принимаем Un 30 в. Чтобы добиться малого значения выходного сопротивления, в качестве оконечного каскада следует использовать эмиттерный повторитель. Динамический диапазон каскада ОК определяется предыдущей ступенью. [54]
Температурная нестабильность характеристик транзистора является их существенным недостатком. [55]
Аналогично изменения характеристик транзисторов вследствие изменения температуры окружающей среды практически не будут вызывать тока в нагрузочном резисторе. [56]
Для снятия характеристик транзисторов при температуре окружающей среды 50 С имеется подогреватель. [57]
Температурная нестабильность характеристик транзистора является их существенным недостатком. [58]
Для снятия характеристик транзисторов типа р - п - р можно использовать схемы рис. XI-17, а ( схема ОБ) и б ( схема ОЭ), где указаны условные положительные направления токов и напряжений. Для транзисторов типа и - р - п эти направления противоположны. [59]
Отметим, что характеристики транзистора, снятые при разных температурах, пересекаются, так как отдельные члены в выражении (4.57) по-разному зависят от температуры. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5