Характеристика - транзистор
Cтраница 3
Для характеристики мощных высокочастотных генераторных транзисторов используется параметр Рвы - мощность, выделяемая в нагрузке на высокой частоте при заданной температуре Т к. При этом оговаривается схема ( обычно это усилитель класса С с настроенной нагрузкой) и значение кпд или коэффициент усиления по мощности / ср. [31]
Рассмотрим характеристики транзистора при включении его по схеме с общим эмиттером, так как последняя является наиболее распространенной. [32]
 |
Схема усилителя на германиевых транзисторах для автоматических мостов и потенциометров. [33] |
Из характеристик транзистора П13А ( см. рис. 1 - 13) видно, что коллекторный ток должен быть не менее 0 3 ма. Из соображений температурной стабилизации полагаем / к 0 5 ма. Выбор тока больше этой величины ограничивается сопротивлением нагрузки, которое желательно иметь достаточно большим. Токи в делителе и во втором каскаде выбираем того же порядка: / д / ia 1Э2 0 5 ма. Следовательно, через сопротивление фильтра при нормальных условиях будет протекать суммарный ток, равный 1 5 ма. Напряжение питания двух первых каскадов целесообразно выбрать небольшим. [34]
Линеаризация характеристики транзистора с коротким каналом объясняется тем, что дрейфовая скорость электронов почти постоянна и близка к скорости насыщения. [35]
По характеристике транзистора находим ток базы / бо ( фиг. [36]
По характеристике транзистора находим ток базы / во ( фиг. [37]
Согласно характеристикам транзистора, показанным на фиг. [38]
В-третьих, характеристики транзистора ухудшаются при высоких частотах сигналов и предельная частота определяется в основном толщиной базы. Прибор может удовлетворительно работать только до тех пор, пока время диффузии носителей через базу меньше периода колебаний усиливаемого сигнала: если напряжение поменяет знак прежде, чем большинство эмитированных электронов пересечет базу, они уже не дадут вклада в ток цепи коллектора. [39]
Параметры и характеристики транзистора в каждой из областей и схем включения различны и зависят от температуры и электрического режима. На рис. 9.2 даны схемы выводов транзисторов, а в табл. 9.7, 9.8 приводятся основные параметры наиболее распространенных транзисторов, используемых в современной радио -, звукозаписывающей и звуковоспроизводящей аппаратуре. [40]
Попытки улучшить лавинные характеристики транзисторов с диффузионной базой за счет увеличения напряжения лавинного пробоя коллекторного перехода обычно не приводят к желательным результатам, так как это связано с увеличением удельного сопротивления материала коллектора, что увеличивает роль эффекта оттеснения и последовательного сопротивления коллектора. [41]
Если имеются характеристики транзисторов вида / к / ( б) ( см., например, рис. 2.5), то расчет нелинейных искажений для каскадов на электронных лампах и транзисторах производится по общим формулам, и в построениях сквозных характеристик нет необхо-мости. [42]
 |
Магнитно-полупроводниковый управляемый генератор, а - схема. б - петля гистерезиса трансформаторного сердечника. [43] |
Вследствие неидентичности характеристик транзисторов эти токи не будут равны. Обмотки W & включены таким образом, что при 1г / 2 с увеличением магнитного потока на базе транзистора Т индуцируется отрицательный потенциал, а на базе Tz - положительный. Поэтому коллекторный ток 1г возрастает, а / 2 уменьшается. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5