Выходная характеристика - транзистор
Cтраница 1
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ показаны на рис. 4 - 10, а. По сравнению с выходными характеристиками транзистора в схеме с ОБ они имеют больший наклон. Кроме того, в схеме с 09 сильнее сказывается эффект умножения носителей заряда в коллекторном переходе. Возникающие в результате умножения электроны, проникая в базу, смещают эмиттерный переход в прямом направлении. Последнее обстоятельство приводит к пробою коллекторного перехода транзистора при более низких напряжениях на коллекторе ( С / Кэ. При больших токах базы характеристики заметно сгущаются. [1]
Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ, представлены на рис. IX-17, в. При снятии характеристики / э 0 входная цепь обрывается. Начальный коллекторный ток / к 7к0 при / э 0 определяется наличием неосновных носителей в базе и коллекторе и почти не зависит от напряжения Us, так как является током насыщения. При комнатной температуре в маломощных транзисторах ток / К0 составляет 1 - 10 мка, но с повышением температуры / К0 значительно возрастает, так как является тепловым током. [2]
 |
Статические характеристики транзистора, включенного по схеме с общей базой. [3] |
Выходная характеристика транзистора, включенного по схеме с О / С, выражает зависимость тока эмиттера / э от напряжения между коллектором и эмиттером 1 / кэ. [4]
Выходные характеристики транзистора показаны на фиг. Интерес представляют три области. В активной области коллекторный ток, по существу, пропорционален току базы, но заметно не изменяется с коллекторным напряжением. Напряжение выходного сигнала, следовательно, становится большим. В области насыщения напряжение очень невелико ( составляет обычно лишь доли вольта), и коллекторный ток перестает увеличиваться с ростом тока базы после достижения этим током определенного значения. [5]
Выходная характеристика транзистора, включенного по схеме ОЭ ( рис. 12, в), выражает зависимость тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном значении тока базы. [6]
Выходные характеристики транзистора с инверсионным ( или индуцированным) каналом не отличаются от характеристик обычного канального транзистора, за исключением полярности напряжения, подаваемого на затвор. [7]
Выходные характеристики транзистора имеют ярко выраженные крутой и пологий участки. Усилительному режиму транзистора соответствует пологий участок. [8]
Выходные характеристики транзистора в схеме с ОЭ имеют более резко выраженное сгущение при больших токах базы из-за значительного снижения коэффициента В, вызываемого снижением коэффициента А ( см. рнс. [9]
Выходные характеристики транзистора ( см. рис. 5.10) почти параллельны оси абсцисс. Это говорит о том, что выходное сопротивление транзистора для переменного тока в схеме с общей базой очень велико и составляет несколько мегом. [10]
Выходные характеристики транзисторов подобны выходным характеристикам лучевых тетродов и пентодов, поэтому для анализа режима их работы можно использовать тот же графический метод. [11]
 |
Входные ( а и выходные ( б характеристики транзисторов в схеме с общим эмиттером. [12] |
Выходные характеристики транзистора для схем с ОЭ ( рис. 55, б) представляют зависимость тока коллектора / p ( f / Ke) при / б const. В активном режиме с подачей на базу отрицательного ( от-носительно эмиттера) напряжения через эмиттерный переход проходит ток / в, обусловленный инжекцией неосновных носителей в базу. [13]
Выходные характеристики МДП транзисторов также можно условно разбить на вышеупомянутые области, исключив область возникновения прямых токов затвора. Однако следует учитывать, что аналогичная область будет иметь место и у МДП транзисторов, если их подложка соединена с истоком. В последнем случае при обратной полярности стокового напряжения возникают прямые токи подложки. [14]
Выходные характеристики слоистого транзистора имеют линейный характер, что позволяет увеличивать коэффициент использования коллекторного напряжения и коэффициент пульсирующего тока коллектора уп почти до единицы. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5